發布日期:2022-07-14 點擊率:23
2018年2月21日,全球先進半導體技術領導者三星電子和Qualcomm Incorporated(NASDAQ: QCOM)子公司Qualcomm Technologies, Inc.宣布,雙方計劃將長達十年的代工合作關系擴展至EUV光刻制程工藝,包括采用三星7納米LPP(Low Power Plus)EUV制程工藝制造未來的Qualcomm?驍龍?5G移動芯片組。
通過采用7LPP EUV制程工藝,驍龍5G移動芯片組的芯片尺寸將更小,從而為OEM廠商即將推出的產品提供更多可用空間,以支持更大電池或更纖薄設計。工藝改進與更先進芯片設計的結合預計將帶來顯著提升的電池續航。
去年五月,三星推出其首款采用EUV光刻解決方案的半導體制程工藝7LPP EUV。EUV光刻技術的部署預計將打破摩爾定律的壁壘,為單納米半導體技術的發展鋪平道路。
相較于其前代10納米FinFET技術,三星的7LPP EUV技術通過更少工藝步驟和更佳良率,不僅極大地降低了工藝復雜性,也帶來了高達40%的面積效率,同時實現10%的性能提升或高達35%的功耗降低。
Qualcomm Technologies, Inc.供應鏈及采購高級副總裁RK Chunduru表示:“我們很高興能夠與三星共同引領5G移動行業。通過采用7納米 LPP EUV,我們全新一代驍龍5G移動芯片組將充分利用工藝改進和先進的芯片設計,以提高未來終端的用戶體驗。”
三星電子代工業務銷售及市場執行副總裁Charlie Bae表示:“我們很高興擴大與Qualcomm Technologies的代工合作關系,在5G技術中采用我們的EUV制程工藝。此次合作是我們代工業務的里程碑,表明了對于三星領先制程工藝的信心。”
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