最近有一家組織發(fā)布了一本有關(guān)芯片級靜電放電(ESD)目標(biāo)級別的新白皮書,這份白皮書很有可能會造成爭議。

二十多年以來,芯片制造商開發(fā)了帶有片上ESD保護(hù)電路的數(shù)字化IC,這些電路支持人體模式(HBM)的2000-V等級和機器模式的(MM)的200V等級。ESD目標(biāo)等級行業(yè)委員會正在推動行業(yè)將HBM級降低到1000V,將MM模式降低到30V。這份白皮書名為《降低元件級HBM/MM ESD規(guī)范和要求的一個案例》,目前已經(jīng)面向公眾發(fā)布。

該組織成立于去年,包含了16個主要成員:模擬器件、AMD、飛思卡爾、富士通、IBM、英飛凌、英特爾、LSI、松下、NXP、Oki、瑞薩、三星、Sarnoff、德州儀器和TSMC。

該委員會成員Charvaka Duvvury和Harald Gossner表示:“如今OEM所要求的更好的靜電控制方法并不能作為本文數(shù)據(jù)所展示的更高HBM/MM級別正名的證據(jù)。”Gossner是英飛凌ESD設(shè)計高級主管兼ESD目標(biāo)等級行業(yè)委員會聯(lián)席主席,而Duvvury則是德州儀器旗下硅技術(shù)部門專家兼該部門聯(lián)合總裁。

這兩位專家表示:“ESD等級的過度設(shè)計正越來越限制硅領(lǐng)域及性能,并常常導(dǎo)致產(chǎn)品創(chuàng)新的延誤。基于更佳的靜電控制技術(shù)、現(xiàn)場失敗率、案例研究和來自IC供應(yīng)商和合同制造商的ESD設(shè)計數(shù)據(jù),我們提出將HBM/MM ESD目標(biāo)等級降到一個更實際但仍然安全的水平。”

據(jù)該委員會成員稱:“本文的目的在于向半導(dǎo)體公司及其客戶提供有關(guān)質(zhì)量組織的信息,以使之評估安全ESD等級要求并作出決定。”他們表示:“通過這篇文章,我們展示了為何現(xiàn)實地降低元件級ESD的ESD目標(biāo)等級不僅必需而且刻不容緩。本文規(guī)定的所有元件級ESD測試都遵循相關(guān)JEDEC和ANSI/ESDA規(guī)范中限定的方法。”

但并不是所有人都意見一致。在被問道他們對此事的看法時,有些成員的態(tài)度來了個180度的大轉(zhuǎn)彎,尤其是Sarnoff旗下的Sarnoff Europe。

NEC電子最近開發(fā)出了一種面向45納米節(jié)點的新型靜電放電(ESD)技術(shù)。NEC表示:“由于采用65納米及以下節(jié)點的器件外形日益縮小,電路級上的電壓和電流允差變得更小。但更小的外形需要和更大外形一樣的ESD保護(hù)等級。”

業(yè)內(nèi)某專家表示:“應(yīng)該是由客戶來決定他們的ESD要求,而不是某個行業(yè)組織。”