Z-RAM高密度存儲知識產權(IP)開發商Innovative Silicon Inc(ISi),與海力士(Hynix)半導體有限公司宣布:海力士已經同意在其動態隨機存儲器(DRAM)芯片中采用ISi的Z-RAM技術。采用Z-RAM的DRAM將使用一種單晶體管位單元,來替代多個晶體管和電容器的組合,這代表了自上世紀70年代初發明DRAM來,基本DRAM位單元實現了首次變革。海力士已經獲得了搶先將Z-RAM引入DRAM市場的機會。為確保這項優勢,兩家公司已經投入相當大的工程資源共同開發該項目。

Z-RAM最初作為全球成本最低的嵌入式內存技術而應用于邏輯芯片,如移動芯片組、微處理器、 網絡和其他消費應用。2005年12月AMD首次獲得該項技術授權,將這項技術應用于微處理器設計。目前此次與Hynix的合作,使Z-RAM成為超過300億美元的存儲器市場中成本最低的存儲器技術。

“ Z-RAM保證提供一種在納米工藝上制造高密度DRAM的最佳方法,” 海力士研發部副總裁Sung-Joo Hong說。“以ISi的 Z-RAM創新為基礎,我們看到了開創全新產品平臺的潛力,這將幫助我們繼續保持和擴展在存儲器市場中所處的領先地位。”

“ 海力士決定與ISi的合作是對我們Z-RAM存儲技術的實力和商業效益的進一步肯定,尤其是海力士是存儲器芯片市場的主導者,它的產品被廣泛應用于多種電子設備中,如個人電腦、服務器、工作站、顯卡以及手持設備,如手機、MP3播放器和數碼相機等,”ISi首席執行官Mark-Eric Jones說。“采用ISi的Z-RAM技術制成的存儲器芯片尺寸更小,成本更低。我們期待著與海力士在下一代DRAM芯片中的合作,從而為最終用戶帶來極大的性能和可用性方面的優勢。”

ISi的Z-RAM與目前標準DRAM和SRAM(靜態存儲器)方案不同,因為其單晶體管(1T)位單元結構是全球最小的存儲單元,這使其成為全世界密度最高、成本最低的半導體存儲方案。通過采用絕緣體上硅結構(SOI)晶圓,Z-RAM的單晶體管存儲位單元可利用電路制造中發現的浮體效應(FBE)而變成現實。此外,因為Z-RAM是利用了SOI自然產生的效應,在存儲位單元內無須通過改變外在工藝來構建電容或其它復雜結構。