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      產(chǎn)品分類

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      富士通電子將自9月推出業(yè)內(nèi)最高密度8Mbit ReRAM產(chǎn)品

      發(fā)布日期:2022-07-19 點(diǎn)擊率:64

        富士通電子元器件(上海)有限公司今日宣布,推出業(yè)內(nèi)最高密度8Mbit ReRAM(注1)---“MB85AS8MT”,此款ReRAM量產(chǎn)產(chǎn)品由富士通與松下電器半導(dǎo)體(Panasonic Semiconductor Solutions Co. Ltd.)(注2)合作開(kāi)發(fā),將于今年9月開(kāi)始供貨。MB85AS8MT是采用SPI接口并與帶電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器 (EEPROM) 兼容的非揮發(fā)性內(nèi)存,能在1.6至3.6伏特之間的廣泛電壓范圍運(yùn)作。其一大特色是極低的平均電流,在5MHz工作頻率下僅需讀取數(shù)據(jù),這讓需透過(guò)電池供電且經(jīng)常讀取數(shù)據(jù)的裝置能達(dá)到最低功耗。MB85AS8MT采用極小的晶圓級(jí)封裝 (WL-CSP),所以非常適用于需電池供電的小型穿戴裝置,包括助聽(tīng)器、智能手表及智能手環(huán)等。

        MB85AS8MT采用極小的晶圓級(jí)封裝 (WL-CSP)

        MB85AS8MT的三大特色與相關(guān)應(yīng)用

        富士通電子提供各種鐵電隨機(jī)存取內(nèi)存 (FRAM)(注3) 產(chǎn)品,能提供比EEPROM與閃存更高的耐寫(xiě)次數(shù)與更快的寫(xiě)入速度。富士通電子的FRAM產(chǎn)品以最佳的非揮發(fā)性內(nèi)存聞名,尤其是需要非常頻繁記錄及保護(hù)寫(xiě)入的數(shù)據(jù)以避免突然斷電時(shí)導(dǎo)致數(shù)據(jù)遺失。但同時(shí),也有些客戶提出需要較低電流讀取運(yùn)作的內(nèi)存,因?yàn)樗麄兊膽?yīng)用僅需少量的寫(xiě)入次數(shù),卻極頻繁地讀取數(shù)據(jù)。

        為滿足此需求,富士通電子特別開(kāi)發(fā)出新型態(tài)的非揮發(fā)性ReRAM內(nèi)存“MB85AS8MT”,兼具“高密度位存取”及“低讀取電流”的特色。其為全球最高密度的8Mbit ReRAM量產(chǎn)產(chǎn)品,采用SPI接口、支持1.6至3.6伏特的廣泛電壓,且包含指令與時(shí)序在內(nèi)的電氣規(guī)格都兼容于EEPROM產(chǎn)品。

        “MB85AS8MT”最大的特色在于即使擁有超高密度,仍能達(dá)到極小的平均讀取電流。例如,在5MHz的工作頻率下,平均讀取電流為,僅相當(dāng)于高密度EEPROM器件所需電流的5%。

        因此,在需要透過(guò)電池供電的產(chǎn)品中,像是特定程序讀取或設(shè)定數(shù)據(jù)讀取這類需要頻繁讀取數(shù)據(jù)的應(yīng)用中,透過(guò)此內(nèi)存的超低讀取電流特性,該產(chǎn)品即能大幅降低電池的耗電量。

        在5MHz的工作頻率下,MB85AS8MT的平均讀取電流僅為高密度EEPROM器件的5%

        除了提供與EEPROM兼容的8針腳小外形封裝 (SOP) 外,還可提供2mm x 3mm的超小型11針腳WL-CSP,適用于裝設(shè)在小型穿戴裝置中。

        MB85AS8MT也可提供2mm x 3mm的超小型11針腳WL-CSP

        高密度內(nèi)存與低功耗的MB85AS8MT采用極小封裝規(guī)格,成為最適合用于需以電池供電的小型穿戴裝置的內(nèi)存,例如助聽(tīng)器、智能手表及智能手環(huán)等。

        富士通電子將持續(xù)致力研發(fā)最佳內(nèi)存,支持客戶對(duì)各種特殊應(yīng)用的需求。

      關(guān)鍵規(guī)格

        · 器件型號(hào):MB85AS8MT

        · 內(nèi)存密度 (組態(tài)):8 Mbit (1M字符x 8位)

        · 界面:序列外圍接口 (SPI)

        · 運(yùn)作電壓:至

        · 運(yùn)作頻率:最高10MHz

        · 低功耗:讀取運(yùn)作電流 (5MHz下取平均值)

        · 寫(xiě)入周期時(shí)間:10ms

        · 分頁(yè)容量:256 bytes

        · 保證寫(xiě)入周期:100萬(wàn)次

        · 保證讀取周期:無(wú)限

        · 數(shù)據(jù)保留:10年 (最高耐熱達(dá)85°C)

        · 封裝:11-pin WL-CSP與8-pin SOP

        注:可變電阻式隨機(jī)存取內(nèi)存 (ReRAM):為非揮發(fā)性內(nèi)存,藉由電壓脈沖于金屬氧化物薄膜,產(chǎn)生的大幅度電阻變化以記錄1和0。其制程化繁為簡(jiǎn),由兩電極間簡(jiǎn)易金屬氧化物架構(gòu)組成,使其同時(shí)擁有低功耗和高寫(xiě)入速度的優(yōu)點(diǎn)。

        松下電器半導(dǎo)體有限公司Panasonic Semiconductor Solutions Co. Ltd.:617-8520 日本京都府長(zhǎng)岡京市神足焼町1番,鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器 (FRAM):FRAM是一種采用鐵電質(zhì)薄膜作為電容器以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的內(nèi)存,即便在沒(méi)有電源的情況下仍可保存數(shù)據(jù)。FRAM結(jié)合了ROM和RAM的特性,并擁有高速寫(xiě)入數(shù)據(jù)、低功耗和高速讀寫(xiě)周期的優(yōu)點(diǎn)。富士通自1999年開(kāi)始生產(chǎn)FRAM,亦稱為FeRAM。

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