富士通電子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出型號為MB85RS2MLY的全新2Mbit FRAM，可在125℃高溫度下正常運行。該器件工作電壓可低至至，配有串行外設接口（SPI）。目前可為客戶提供評測版樣品，將在6月實現量產。

　　這款全新FRAM產品是汽車電子電控單元的最佳選擇，滿足高端汽車市場對低功耗電子器件的需求，如ADAS。

圖1：MB85RS2MLY 8pin DFN 封裝

圖2：應用實例（ADAS）

　　FRAM的讀/寫耐久性、寫入速度和功耗均優于EEPROM和閃存，已有對傳統非易失性內存性能不滿意的客戶采用我們的FRAM。

　　自2017年以來，富士通電子不斷推出工作電壓或5V的64Kbit~2Mbit的汽車級FRAM產品。但高端汽車電控單元的推出，使得一些客戶開始要求FRAM的工作電壓低于。富士通電子近日推出的這款全新FRAM正是為了滿足這一市場需求而面世的。

　　MB85RS2MLY在-40°C至+125°C溫度范圍內可以達到10兆次讀/寫次數，適合某些需要實時數據記錄的應用，比如連續10年每天每0.1秒記錄一次數據，則寫入次數將超過30億。另外，這款產品可靠性測試符合AEC-Q100 Grade 1標準，達到汽車級產品的認證標準。因此，在數據寫入耐久性和可靠性方面，富士通電子最新推出的這款FRAM完全支持ADAS等需要實時數據記錄的應用。

　　這款FRAM產品采用業界標準8-pin SOP封裝，可輕松取代現有類似引腳的EEPROM。此外，還提供外形尺寸為 x x 的8-pin DFN（無引線雙側扁平）封裝。

圖3：8pin DFN和8pin SOP封裝

　　除2Mbit FRAM，富士通電子目前正在研發125°C溫度系列容量為4Mbit的存儲產品。富士通電子將繼續提供內存產品和解決方案，滿足市場和客戶的未來需求。

關鍵規格

　　o組件型號：MB85RS2MLY
　　o容量（組態）：2Mbit（256Kx8位）
　　o接口：SPI（SerialPeripheralInterface）
　　o運作頻率：最高50MHz
　　o運作電壓：1.7伏特伏特
　　o運作溫度范圍：攝氏零下40度-攝氏125度
　　o讀∕寫耐用度：10兆次(1013次)
　　o封裝規格：8-pinSOP與8-pinDFN
　　o認證標準：符合AEC-Q100Grade1

詞匯與備注

　　注一：鐵電隨機存取內存（FRAM）
　　FRAM是一種采用鐵電質薄膜作為電容器以儲存數據的內存，即便在沒有電源的情況下仍可保存數據。FRAM結合了ROM和RAM的特性，并擁有高速寫入數據、低功耗和高速讀/寫周期的優點。富士通自1999年即開始生產FRAM，亦稱為FeRAM。