當前位置： 首頁 > 工業電子產品 > 無源元器件 > 光電耦合器 > MOSFET輸出光電耦合器
+比較
這些設備為單光耦合器。每個通道均由砷化鎵紅外發光二極管和硅光電晶體管組成。這些設備的封裝類型為 4 引腳，并提供表面安裝、對接切割和翼形選項。下述每個設備的每個通道都使用相同的電氣模具、組裝流程和材料。因此，所有裝置的絕對最大額定值、推薦工作條件、電氣規格和性能特性都相同。封裝變化和限制導致的任何例外情況都已注明。
在 -55°C 至 +125°C 溫度范圍內保證性能
高電流傳輸率
7500 V 電氣隔離
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 安裝類型 | 通孔安裝 |
| 輸出設備 | NPN 光電晶體管 |
| 最大正向電壓 | 1.4V |
| 通道數目 | 1 |
| 針數目 | 4 |
| 封裝類型 | DIP |
| 輸入電流類型 | 交流 |
| 典型上升時間 | 4μs |
| 最大輸入電流 | 50 mA |
| 隔離電壓 | 5300（最小值）Vrms |
| 最大電流傳輸比 | 600% |
| 最小電流傳輸率 | 80% |
| 典型下降時間 | 3μs |
| 系列 | PS2501-1 |
