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Wolfspeed C2M0080120D MOSFET

訂貨號：C2M0080120D 品牌：Wolfspeed

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Wolfspeed碳化硅功率MOSFET

Wolfspeed Z-Fet?，C2M?和C3M?碳化硅功率MOSFET。Cree功率分部Wolfspeed的一系列第二代 SiC MOSFET，可提供行業(yè)領(lǐng)先的功率密度和切換效率。這些低電容設(shè)備可實現(xiàn)更高的切換頻率，并降低了散熱要求，從而提高了整體系統(tǒng)工作效率。

? 增強模式N通道SiC技術(shù)
? 高漏源擊穿電壓-高達1200V
? 多個設(shè)備易于并行且易于驅(qū)動
? 高速開關(guān)，導(dǎo)通電阻低
? 防閂鎖操作

Wolfspeed MOSFET實現(xiàn)了更高開關(guān)頻率，并且減小了電感器、電容器、濾波器、變壓器等組件的尺寸。Wolfspeed的碳化硅MOSFET取代硅器件，可降低開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗，并實現(xiàn)更高阻斷電壓和雪崩能力。

MOSFET 晶體管，Wolfspeed

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	31 A
最大漏源電壓	1200 V
封裝類型	TO-247
安裝類型	通孔
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	208 mΩ
通道模式	增強
最大柵閾值電壓	3.2V
最小柵閾值電壓	1.7V
最大功率耗散	208 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-10 V, +25 V
長度	16.13mm
典型柵極電荷@Vgs	49.2 nC @ 20 V
最高工作溫度	+150 °C
晶體管材料	SiC
每片芯片元件數(shù)目	1
寬度	5.21mm

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