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Infineon BSZ060NE2LSATMA1 MOSFET

訂貨號(hào)：BSZ060NE2LSATMA1 品牌：英飛凌_Infineon

庫(kù)存數(shù)量：10 品牌屬性：

RoHS：符合

市場(chǎng) 價(jià)：￥0.00 品牌商：￥0.00

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OptiMOS? 產(chǎn)品提供高性能封裝，可處理最具挑戰(zhàn)性的應(yīng)用，在有限空間提供全部靈活性。這些 Infineon 產(chǎn)品經(jīng)的設(shè)計(jì)符合并超過(guò)計(jì)算機(jī)應(yīng)用中更嚴(yán)格的下一代電壓調(diào)節(jié)標(biāo)準(zhǔn)的能效和功率密度要求。

N 通道 - 增強(qiáng)模式
符合汽車 AEC Q101 規(guī)格
MSL1 高達(dá) 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作溫度
綠色封裝（無(wú)鉛）
超低 Rds(on)

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	40 A
最大漏源電壓	25 V
封裝類型	TSDSON
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	8
最大漏源電阻值	8.1 mΩ
通道模式	增強(qiáng)
最大柵閾值電壓	2V
最小柵閾值電壓	1.2V
最大功率耗散	26 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-20 V、+20 V
寬度	3.4mm
最高工作溫度	+150 °C
典型柵極電荷@Vgs	9.1 nC @ 10 V
晶體管材料	Si
長(zhǎng)度	3.4mm
每片芯片元件數(shù)目	1

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