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         產(chǎn)品分類 
         
         
        
         
      
       
      
     
      
   
      
      
    
    
    
    

   
      
     
      
        
       
         
      
         
      分類：
               
      
         
      
       
       
      
       
      
         
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      IXYS IXTH110N25T MOSFET
      
                  
      
                  
      
                      
       訂  貨 號：IXTH110N25T        品牌：IXYS/艾賽思
      
                      
       庫存數(shù)量：10                    品牌屬性：
      
                      
       RoHS：符合 
      
                      
       市 場 價：￥0.00                 品 牌 商：￥0.00
      
                  
      
                  
      
               
      
 
               
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      公司基本資料信息
      
           
      
              
      
              聯(lián)系人：(女士) 
      
              電   話：
      
              手   機：
      
              地   址：
      
              通    訊：     
      
              
      
              主營產(chǎn)品：
              
      
           
      
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      • 產(chǎn)品介紹 
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      • 產(chǎn)品屬性
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               IXYS IXTH110N25T MOSFET
      產(chǎn)品詳細信息
      

        
        
      

            
            
                
                    
                        
      N 通道 Trench-Gate 功率 MOSFET，IXYS
      
                    
                
                
                
            
                
                
                
                    
      
                        
                            Trench Gate MOSFET 技術(shù)
      低通態(tài)電阻 RDS（開啟）
      極佳的可耐受雪崩性 
                        
                    
      
                
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            
        
      

        
        
      

            
            

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      

            
            
                
                    
                        
      MOSFET 晶體管，IXYS
      
                    
                
                
                
            
                
                
                    
      
                        
                            IXYS 的一系列高級離散電源 MOSFET 設備 
                        
                    
      
                
                
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            

            

            
        

      
            
      
                屬性
                數(shù)值
            
      
            
                
      
                    通道類型
                    N
                
      
            
                
      
                    最大連續(xù)漏極電流
                    110 A
                
      
            
                
      
                    最大漏源電壓
                    250 V
                
      
            
                
      
                    封裝類型
                    TO-247
                
      
            
                
      
                    安裝類型
                    通孔
                
      
            
                
      
                    引腳數(shù)目
                    3
                
      
            
                
      
                    最大漏源電阻值
                    24 mΩ
                
      
            
                
      
                    通道模式
                    增強
                
      
            
                
      
                    最大柵閾值電壓
                    5V
                
      
            
                
      
                    最小柵閾值電壓
                    3V
                
      
            
                
      
                    最大功率耗散
                    694 W
                
      
            
                
      
                    最大柵源電壓
                    -20 V、+20 V
                
      
            
                
      
                    寬度
                    5.3mm
                
      
            
                
      
                    典型柵極電荷@Vgs
                    157 nC @ 10 V
                
      
            
                
      
                    長度
                    16.26mm
                
      
            
                
      
                    最高工作溫度
                    +150 °C
                
      
            
                
      
                    每片芯片元件數(shù)目
                    1
                
      
            
        
                  
      
          
      

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