Infineon SIPMOS? 小信號 P 通道 MOSFET 具有多種功能，可能包括增強模式、連續漏極電流（約低至 80A）及寬工作溫度范圍。 SIPMOS 功率晶體管可用于多種應用，包括電信、eMobility、筆記本、直流/直流設備以及汽車工業。
· 符合 AEC Q101 標準（請參閱數據表）
· 無鉛引線電鍍，符合 RoHS 標準
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現更高效率、功率密度和成本效益。需要高質量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業標準的 MOSFET。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | P |
| 最大連續漏極電流 | 1.9 A |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | SOT-223 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 + Tab |
| 最大漏源電阻值 | 300 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 最小柵閾值電壓 | 2.1V |
| 最大功率耗散 | 1.8 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
| 典型柵極電荷@Vgs | 10 nC @ 10 V |
| 長度 | 6.5mm |
| 晶體管材料 | Si |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 寬度 | 3.5mm |
