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onsemi FDP023N08B_F102 MOSFET

訂貨號(hào)：FDP023N08B_F102 品牌：Onsemi/安森美

庫(kù)存數(shù)量：10 品牌屬性：

RoHS：符合

市場(chǎng) 價(jià)：￥0.00 品牌商：￥0.00

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在半 MOSFET 上，可提供卓越的設(shè)計(jì)可靠性，從降低的電壓峰值和過(guò)沖，到降低接點(diǎn)電容和反向恢復(fù)電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統(tǒng)保持較長(zhǎng)的運(yùn)行時(shí)間。

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	242 A
最大漏源電壓	75 V
封裝類型	TO-220
安裝類型	通孔
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	2.3 mΩ
通道模式	增強(qiáng)
最小柵閾值電壓	2V
最大功率耗散	245 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-20 V、+20 V
長(zhǎng)度	10.1mm
最高工作溫度	+175 °C
典型柵極電荷@Vgs	150 nC @ 10 V
每片芯片元件數(shù)目	1
寬度	4.7mm
晶體管材料	Si

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