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產(chǎn)品分類(lèi)
分類(lèi)：

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onsemi FDD3860 MOSFET

訂 貨 號(hào)：FDD3860      品牌：Onsemi/安森美

庫(kù)存數(shù)量：10             品牌屬性：

RoHS：符合

市 場(chǎng) 價(jià)：￥0.00          品 牌 商：￥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人：(女士)
電 話(huà)：
手 機(jī)：
地 址：
通 訊：    
主營(yíng)產(chǎn)品：
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onsemi FDD3860 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

PowerTrench? N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，F(xiàn)airchild Semiconductor

半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管，半

在半自動(dòng)模式下， MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大，包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類(lèi)型。先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的設(shè)計(jì)可靠性，從降低的電壓峰值和過(guò)沖，到降低接點(diǎn)電容和反向恢復(fù)電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統(tǒng)保持較長(zhǎng)的運(yùn)行時(shí)間。


屬性 數(shù)值
通道類(lèi)型 N
最大連續(xù)漏極電流 29 A
最大漏源電壓 100 V
封裝類(lèi)型 DPAK (TO-252)
安裝類(lèi)型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 64 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最小柵閾值電壓 2.5V
最大功率耗散 69 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
長(zhǎng)度 6.73mm
晶體管材料 Si
最高工作溫度 +150 °C
寬度 6.22mm
每片芯片元件數(shù)目 1
典型柵極電荷@Vgs 22 nC @ 10 V
暫無(wú)
正在載入評(píng)論詳細(xì)...
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