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onsemi FCD5N60TM_WS MOSFET

訂 貨 號：FCD5N60TM_WS      品牌：Onsemi/安森美

庫存數量：10             品牌屬性：

RoHS：符合

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onsemi FCD5N60TM_WS MOSFET
產品詳細信息

SuperFET? 和 SuperFET? II N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor

Fairchild 使用超級結技術增加了 SuperFET? II 高電壓功率 MOSFET 系列。 它提供最佳堅固主體二極管性能，適用于要求高功率密度、系統(tǒng)效率和可靠性的交流-直流開關模式電源 (SMPS) 應用，如服務器、電信、計算、工業(yè)電源、UPS/ESS、太陽能逆變器和照明應用。
利用先進的電荷平衡技術，設計人員可實現更高效經濟的高性能解決方案，可占用更少板空間并提高可靠性。

半導體 MOSFET 晶體管，半

在半自動模式下， MOSFET 器件的組合相當龐大，包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標準和耐熱增強型封裝中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的設計可靠性，從降低的電壓峰值和過沖，到降低接點電容和反向恢復電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。


屬性 數值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 4.6 A
最大漏源電壓 600 V
封裝類型 DPAK (TO-252)
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 3
最大漏源電阻值 950 mΩ
通道模式 增強
最小柵閾值電壓 3V
最大功率耗散 54 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -30 V、+30 V
每片芯片元件數目 1
寬度 2.39mm
晶體管材料 Si
典型柵極電荷@Vgs 16 nC @ 10 V
最高工作溫度 +150 °C
長度 6.73mm
暫無
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