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      Infineon IPD80R1K4P7ATMA1 MOSFET

      訂 貨 號:IPD80R1K4P7ATMA1      品牌:英飛凌_Infineon

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      Infineon IPD80R1K4P7ATMA1 MOSFET
      產品詳細信息

      Infineon CoolMOS?P7 功率 MOSFET

      800V CoolMOS P7 功率 MOSFET 系列可實現更高效率和熱性能。合適的應用為電源適配器、LED 照明、音頻、工業和輔助電源。

      MOSFET 晶體管,Infineon

      Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實現更高效率、功率密度和成本效益。需要高質量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業標準的 MOSFET。


      屬性 數值
      通道類型 N
      最大連續漏極電流 4 A
      最大漏源電壓 800 V
      封裝類型 DPAK (TO-252)
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數目 3
      最大漏源電阻值 1.4 Ω
      通道模式 增強
      最大柵閾值電壓 3.5V
      最小柵閾值電壓 2.5V
      最大功率耗散 32 W
      最大柵源電壓 -30 V、+30 V
      長度 6.73mm
      典型柵極電荷@Vgs 10 nC @ 10 V
      寬度 6.22mm
      每片芯片元件數目 1
      最高工作溫度 +150 °C
      暫無
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