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onsemi VEC2616-TL-H MOSFET

訂 貨 號(hào)：VEC2616-TL-H      品牌：Onsemi/安森美

庫(kù)存數(shù)量：10             品牌屬性：

RoHS：符合

市 場(chǎng) 價(jià)：￥0.00          品 牌 商：￥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人：(女士)
電 話：
手 機(jī)：
地 址：
通 訊：    
主營(yíng)產(chǎn)品：
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onsemi VEC2616-TL-H MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

雙 N/P 通道 MOSFET，ON Semiconductor

NTJD1155L 是一種雙通道 MOSFET 。該 MOSFET 在單個(gè)封裝中同時(shí)采用 P 和 N 通道，非常適用于低控制信號(hào)，低電池電壓和高負(fù)載電流。N 通道具有內(nèi)部 ESD 保護(hù)功能，可以由低至 1.5V 的邏輯信號(hào)驅(qū)動(dòng)，而 P 通道則設(shè)計(jì)用于負(fù)載切換應(yīng)用。P 信道還采用半溝道技術(shù)設(shè)計(jì)。

MOSFET 晶體管，ON Semiconductor


屬性 數(shù)值
通道類型 N，P
最大連續(xù)漏極電流 2.5 A，3 A
最大漏源電壓 60 V
封裝類型 VEC
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 8 mΩ, 137 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 2.6V
最大功率耗散 900 mW
晶體管配置 隔離式
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
典型柵極電荷@Vgs 10 nC @ 10 V，11 nC @ 10 V
長(zhǎng)度 2.9mm
晶體管材料 Si
最高工作溫度 +150 °C
每片芯片元件數(shù)目 2
寬度 2.3mm
暫無(wú)
正在載入評(píng)論詳細(xì)...
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