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Infineon IRL6372TRPBF MOSFET

訂貨號(hào)：IRL6372TRPBF 品牌：IR/國(guó)際整流器

庫(kù)存數(shù)量：10 品牌屬性：

RoHS：符合

市場(chǎng) 價(jià)：￥0.00 品牌商：￥0.00

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雙 N 通道功率 MOSFET，Infineon

Infineon 雙功率 MOSFET 集成了兩個(gè) HEXFET? 設(shè)備，以便在板空間要求嚴(yán)格的高元件密度設(shè)計(jì)中提供經(jīng)濟(jì)實(shí)惠節(jié)省空間的切換解決方案。提供各種封裝選項(xiàng)，設(shè)計(jì)人員可以選擇雙 N 通道配置。

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	8.1 A
最大漏源電壓	30 V
封裝類型	SOIC
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	8
最大漏源電阻值	23 mΩ
通道模式	增強(qiáng)
最大柵閾值電壓	1.1V
最小柵閾值電壓	0.5V
最大功率耗散	2 W
最大柵源電壓	-12 V、+12 V
長(zhǎng)度	5mm
典型柵極電荷@Vgs	11 nC @ 15 V
最高工作溫度	+150 °C
每片芯片元件數(shù)目	2
寬度	4mm

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