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         產(chǎn)品分類 
         
         
        
         
      
       
      
     
      
   
      
      
    
    
    
    

   
      
     
      
        
       
         
      
         
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      Infineon SPD30P06PGBTMA1 MOSFET
      
                  
      
                  
      
                      
       訂  貨 號：SPD30P06PGBTMA1        品牌：英飛凌_Infineon
      
                      
       庫存數(shù)量：10                    品牌屬性：
      
                      
       RoHS：符合 
      
                      
       市 場 價：￥0.00                 品 牌 商：￥0.00
      
                  
      
                  
      
               
      
 
               
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      公司基本資料信息
      
           
      
              
      
              聯(lián)系人：(女士) 
      
              電   話：
      
              手   機：
      
              地   址：
      
              通    訊：     
      
              
      
              主營產(chǎn)品：
              
      
           
      
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               Infineon SPD30P06PGBTMA1 MOSFET
      產(chǎn)品詳細信息
      

        
        
      

            
            
                
                    
                        
      Infineon SIPMOS? P 通道 MOSFET
      
                    
                
                
                
            
                
                
                    
      
                        
                            Infineon SIPMOS? 小信號 P 通道 MOSFET 具有多種功能，可能包括增強模式、連續(xù)漏極電流（約低至 80A）及寬工作溫度范圍。 SIPMOS 功率晶體管可用于多種應用，包括電信、eMobility、筆記本、直流/直流設備以及汽車工業(yè)。
         
                        
                    
      
                
                
            
                
                
                
                    
      
                        
                            · 符合 AEC Q101 標準（請參閱數(shù)據(jù)表）
      · 無鉛引線電鍍，符合 RoHS 標準 
                        
                    
      
                
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            
        
      

        
        
      

            
            

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      

            
            
                
                    
                        
      MOSFET 晶體管，Infineon
      
                    
                
                
                
            
                
                
                    
      
                        
                            Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標準的 MOSFET。 
                        
                    
      
                
                
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            

            

            
        

      
            
      
                屬性
                數(shù)值
            
      
            
                
      
                    通道類型
                    P
                
      
            
                
      
                    最大連續(xù)漏極電流
                    30 A
                
      
            
                
      
                    最大漏源電壓
                    60 V
                
      
            
                
      
                    封裝類型
                    DPAK (TO-252)
                
      
            
                
      
                    安裝類型
                    表面貼裝
                
      
            
                
      
                    引腳數(shù)目
                    3
                
      
            
                
      
                    最大漏源電阻值
                    75 mΩ
                
      
            
                
      
                    通道模式
                    增強
                
      
            
                
      
                    最大功率耗散
                    125 W
                
      
            
                
      
                    晶體管配置
                    單
                
      
            
                
      
                    最大柵源電壓
                    -20 V、+20 V
                
      
            
                
      
                    寬度
                    6.22mm
                
      
            
                
      
                    每片芯片元件數(shù)目
                    1
                
      
            
                
      
                    長度
                    6.73mm
                
      
            
                
      
                    晶體管材料
                    Si
                
      
            
                
      
                    最高工作溫度
                    +175 °C
                
      
            
                
      
                    典型柵極電荷@Vgs
                    32 nC @ 10 V
                
      
            
        
                  
      
          
      

      暫無
      
          
      
          
      
               
        
                     
                   
      
            
      
             
      

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