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onsemi FCP11N60N MOSFET

訂貨號：FCP11N60N 品牌：Onsemi/安森美

庫存數(shù)量：10 品牌屬性：

RoHS：符合

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SupreMOS? MOSFET，F(xiàn)airchild Semiconductor

Fairchild 推出了新一代 600V 超級結(jié) MOSFET - SupreMOS?。
與 Fairchild 的 600V SuperFET? MOSFET 相比，其低 RDS（接通）和總柵極電荷讓品質(zhì)因素 (FOM) 降低了 40%。此外，SupreMOS 系列為相同的 RDS（接通）提供低柵極電荷，提供極佳的切換性能，切換和傳導(dǎo)損耗降低 20%，從而獲得更高的效率。
這些特征讓電源符合用于臺式 PC 的 ENERGY STAR? 80 PLUS 黃金分類和用于服務(wù)器的白金分類。

半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管，半

在半自動模式下， MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大，包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的設(shè)計(jì)可靠性，從降低的電壓峰值和過沖，到降低接點(diǎn)電容和反向恢復(fù)電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統(tǒng)保持較長的運(yùn)行時(shí)間。

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	10.8 A
最大漏源電壓	600 V
封裝類型	TO-220
安裝類型	通孔
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	300 mΩ
通道模式	增強(qiáng)
最小柵閾值電壓	2V
最大功率耗散	94 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-30 V、+30 V
晶體管材料	Si
寬度	4.7mm
長度	10.16mm
每片芯片元件數(shù)目	1
典型柵極電荷@Vgs	27.4 nC @ 10 V
最高工作溫度	+150 °C

暫無

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