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DiodesZetex 生產(chǎn)的 P 通道增強模式 MOSFET,旨在滿足汽車應(yīng)用的嚴格要求。這種環(huán)保器件完全不含鉛、鹵素和銻。此款 MOSFET 采用 SO-8 封裝。具有切換速度快和效率高的特點。溫度最高可達 +175°C,特別適合于高溫環(huán)境。100% 無鉗位電感開關(guān),確保更加可靠而穩(wěn)健的終端應(yīng)用
最大漏極-源極電壓 40 V 最大柵極-源極電壓 ±25 V 低導(dǎo)通電阻 RDS(ON) 有助于最大限度地減少功耗 低 Qg 有助于最大限度地減少開關(guān)損耗
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | P |
最大連續(xù)漏極電流 | 11.4 A |
最大漏源電壓 | 40 V |
封裝類型 | SOIC |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 0.015 Ω |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 2.5V |