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on ON Semiconductor 系列 150V n 通道 mv mosfet 采用 Advanced 工藝生產(chǎn)、并采用屏蔽柵極技術(shù)。此過程已經(jīng)過優(yōu)化，可最大程度降低導(dǎo)通電阻，同時(shí)使用同類最佳的軟主體二極管保持優(yōu)異的切換性能。

vgs 時(shí)最大 rds （接通） = 11.5 m m m m m 、 10V id 為 35A
低傳導(dǎo)損耗
vgs 時(shí)最大 rds （接通）為 13.2mohm 、 id 為 18A 8V
qrr 比其他 mosfet 供應(yīng)商低 50%
降低切換噪聲 /emi
MSL1 堅(jiān)固封裝設(shè)計(jì)
100% uil 測(cè)試