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onsemi NVMYS8D0N04CTWG MOSFET

訂 貨 號(hào)：NVMYS8D0N04CTWG      品牌：Onsemi/安森美

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：

RoHS：符合

市 場(chǎng) 價(jià)：￥0.00          品 牌 商：￥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人：(女士)
電 話：
手 機(jī)：
地 址：
通 訊：    
主營(yíng)產(chǎn)品：
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onsemi NVMYS8D0N04CTWG MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

汽車功率 MOSFET 采用 DPAK 封裝，設(shè)計(jì)用于緊湊型高效設(shè)計(jì)，包括高熱性能。支持 mosfet 和 ppap 、適用于需要增強(qiáng)板級(jí)可靠性的汽車應(yīng)用

體積小巧 (5 x 6 mm)，可實(shí)現(xiàn)緊湊設(shè)計(jì)
低 RDS（接通），可最大限度地減少傳導(dǎo)損耗
低 QG 和低電容可最大限度地減少驅(qū)動(dòng)器損耗
LFPAK4 封裝、工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
支持 PPAP
這些設(shè)備無鉛


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 49 A
最大漏源電壓 40 V
封裝類型 LFPAK
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 4
最大漏源電阻值 8.1 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 3.5V
最小柵閾值電壓 2.5V
最大功率耗散 38 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 ±20 V
寬度 4.25mm
每片芯片元件數(shù)目 1
典型柵極電荷@Vgs 10 nC @ 10 V
最高工作溫度 +175 °C
長(zhǎng)度 5mm
暫無
正在載入評(píng)論詳細(xì)...
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