the Infineon - 55V 單 p 通道 hex場 功率 mosfet 采用 d-pak 封裝。
符合 RoHS
低 RDS（接通）
行業領先的質量
動態 dv/dt 額定值
快速切換
完全雪崩等級
175°C 工作溫度
P 溝道 MOSFET
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | P |
| 最大連續漏極電流 | 18 A |
| 最大漏源電壓 | 55 V |
| 封裝類型 | DPAK (TO-252) |
| 安裝類型 | 表面安裝器件 |
| 最大漏源電阻值 | 110 個月 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
