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DiodesZetex 8V 9 引腳 p 通道增強(qiáng)模式 mosfet 設(shè)計用于最大程度減少通態(tài)損耗和超快開關(guān)、使其特別適用于高效電源傳輸。它使用芯片級封裝、通過將低熱阻抗與最小的每個印跡面積相結(jié)合來提高功率密度。其柵 - 源電壓為 6 v 、熱功耗為 1.2 w 。
柵極 esd 保護(hù)
CSP 為 1.5mm x
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | P |
最大連續(xù)漏極電流 | 9.8 a 、 13.2 a |
最大漏源電壓 | 8 V |
封裝類型 | UWLB1515 |
引腳數(shù)目 | 9 |
最大漏源電阻值 | 0.0091 Ω |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 1.1V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
晶體管材料 | Si |