Infineon AUIRFR024NTRL 專門設計用于汽車應用,這款 HEXFET? 功率 MOSFET 的單元設計利用最新處理技術,可實現每硅區域的低接通電阻。
高級平面技術,
低接通電阻,動態 dv/dt 額定值,
175°C 工作溫度,
快速切換
,完全顫動額定值,
允許重復顫動,高達 Tjmax
無鉛,符合 RoHS 標準,符合汽
車認證
屬性 | 數值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續漏極電流 | 12 A |
最大漏源電壓 | 75 V |
封裝類型 | DPAK |