the Infineon ex場 ? 功率 mosfet 專為持續(xù)供電而設計 等離子顯示面板中的能量回收和通過開關應用。此 mosfet 利用最新的處理技術實現每個硅區(qū)域低接通電阻和低 e 脈沖額定值。

先進的工藝技術
主要參數針對 pdp 持續(xù)性、能量回收和通過開關應用進行了優(yōu)化
低 epulse 額定值、可減少 pdp 可持續(xù)、能量回收和通過開關應用中的功耗
低 qg 、用于快速響應
高 Peak 電流容量、確保可靠操作
短下降和上升時間、用于快速切換
175°c 工作接點溫度、用于改善堅固性
重復雪崩能力、確保堅固性和可靠性