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Infineon IRF3808PBF MOSFET

訂貨號(hào)：IRF3808PBF 品牌：IR/國際整流器

庫存數(shù)量：10 品牌屬性：

RoHS：符合

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Infineon 系列分離式 HEXFET? 功率 MOSFET 包括 N 通道設(shè)備，采用表面安裝和引線封裝。形狀系數(shù)可解決大多數(shù)板布局和熱設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)問題。在整個(gè)范圍內(nèi)，基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損耗，讓設(shè)計(jì)人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。

MOSFET 晶體管，Infineon

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屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	140 A
最大漏源電壓	75 V
封裝類型	TO-220AB
安裝類型	通孔
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	7 mΩ
通道模式	增強(qiáng)
最大柵閾值電壓	4V
最小柵閾值電壓	2V
最大功率耗散	330 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-20 V、+20 V
寬度	4.83mm
典型柵極電荷@Vgs	150 nC @ 10 V
長度	10.67mm
最高工作溫度	+175 °C
每片芯片元件數(shù)目	1
晶體管材料	Si

暫無

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