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30V 單 N 溝道 HEXFET 功率 MOSFET,采用 SO-8 封裝
高頻率負(fù)載點同步降壓轉(zhuǎn)換器,用于網(wǎng)絡(luò)和計算系統(tǒng)應(yīng)用。高頻率負(fù)載點同步降壓轉(zhuǎn)換器,用于網(wǎng)絡(luò)和計算系統(tǒng)應(yīng)用。
工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳輸出 SO-8 封裝
與現(xiàn)有表面安裝技術(shù)兼容
無鹵
多供應(yīng)商兼容性
更易于制造
環(huán)保
增強的可靠性
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 16 A |
最大漏源電壓 | 30 V |
封裝類型 | SO |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 8.7 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 2.25V |
最小柵閾值電壓 | 1.35V |
最大功率耗散 | 2.5 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | ±20 V |
最高工作溫度 | +150 °C |
長度 | 5mm |
典型柵極電荷@Vgs | 18 nC @ 4.5 V |
寬度 | 4mm |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |