英飛凌 HEXFET 功率 MOSFET 采用最新加工技術，實現了極低的每硅面積導通電阻。本設計的其他特點包括 HEXFET 功率 MOSFET 的其他功能包括 175°C 結溫、快速開關和更高的重復雪崩額定值。
高級加工技術,
超低導通電阻,
工作溫度 175 ℃
快速開關
允許重復雪崩達 Tjmax
無鉛，符合 RoHS
符合汽車標準
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 160 A |
| 最大漏源電壓 | 40 V |
| 封裝類型 | TO-220 |
| 安裝類型 | 通孔 |
