Infineon ex場 功率 mosfet 的最大漏極源電壓為 200V 、采用 direct場 效應(yīng)管 mz 封裝、額定電流為 19 安培、經(jīng)優(yōu)化具有低接通電阻。此數(shù)字音頻 mosfet 專門設(shè)計用于 d 類音頻放大器應(yīng)用。此 mosfet 利用最新的處理技術(shù)實現(xiàn)每個硅區(qū)域的低接通電阻。此外、柵極電荷、主體二極管反向恢復(fù)和內(nèi)部柵極電阻經(jīng)過優(yōu)化、可提高效率、總諧波和 emi 等關(guān)鍵 d 類音頻放大器性能因素。IRF6785MPbF 設(shè)備采用 direct東帝汶 封裝技術(shù)。與傳統(tǒng)的線粘結(jié)型封裝相比、 direct東帝汶 封裝技術(shù)可提供更低的寄生電感和電阻。

最新 mosfet 硅技術(shù)
關(guān)鍵參數(shù)針對 d 類音頻放大器應(yīng)用進行了優(yōu)化
兼容雙面冷卻
無鉛（最高 260°c 回流）