Toshiba 硅 n 通道 mosfet 具有高速切換特性和較低的電容。它主要用于開關電源。
低漏 - 源導通電阻 0.075 ?
存儲溫度 -55 至 150°c
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 30 A |
| 最大漏源電壓 | 650 V |
| 封裝類型 | ｛ f1 to ｛ f1 -247 ｝ ｛ f1 4L （ t ｝ |
| 引腳數目 | 4 |
| 最大漏源電阻值 | 0.09. Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | 硅 |
