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訂 貨 號(hào):PMV100ENEAR 品牌:PMV
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:
RoHS:符合
市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00 品 牌 商:¥0.00
30 V,N 溝道 Trench MOSFET,N 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面貼裝器件 (SMD) 塑料封裝,采用 Trench MOSFET 技術(shù)。
邏輯電平兼容
超快切換
Trench MOSFET 技術(shù)
靜電放電 (ESD) 保護(hù):> 2 kV HBM
符合 AEC-Q101
繼電器驅(qū)動(dòng)器
高速線路驅(qū)動(dòng)器
低側(cè)負(fù)載開關(guān)
開關(guān)電路
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 3 A |
最大漏源電壓 | 30 V |
封裝類型 | SOT23, TO-236AB |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 118 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 2.5V |
最小柵閾值電壓 | 1V |
最大功率耗散 | 4.5 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | 20 V |
每片芯片元件數(shù)目 | 3 |
寬度 | 1.4mm |
典型柵極電荷@Vgs | 3.6 nc @ 10 v |
長(zhǎng)度 | 3mm |
最高工作溫度 | +150 °C |