Vishay e 系列功率 mosfet 采用 220AB 封裝類型、漏極電流為 15 a 。
低品質因數 (FOM) Ron x Qg
低有效電容（ co （ er ））
減少切換和傳導損耗
雪崩能量等級（ uis ）
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 15 A |
| 最大漏源電壓 | 800 V |
| 封裝類型 | TO-220AB |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.25. Ω |
| 最大柵閾值電壓 | 2 → 4V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
