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      IXYS IXFK80N50Q3 MOSFET
      
                  
      
                  
      
                      
       訂  貨 號：IXFK80N50Q3        品牌：IXYS/艾賽思
      
                      
       庫存數(shù)量：10                    品牌屬性：
      
                      
       RoHS：符合 
      
                      
       市 場 價：￥0.00                 品 牌 商：￥0.00
      
                  
      
                  
      
               
      
 
               
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              聯(lián)系人：(女士) 
      
              電   話：
      
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              地   址：
      
              通    訊：     
      
              
      
              主營產品：
              
      
           
      
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               IXYS IXFK80N50Q3 MOSFET
      產品詳細信息
      

        
        
      

            
            
                
                    
                        
      N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET? Q3 系列
      
                    
                
                
                
            
                
                
                    
      
                        
                            HiperFET? Power MOSFET 的 IXYS Q3 類極其適用于硬切換和諧振模式應用，可提供帶有卓越強度的低柵極電荷。 該設備包含一個快速本質二極管且提供各種工業(yè)標準封裝，包括隔離類型，帶有額定值高達 1100V 和 70A。 典型應用包括直流－直流轉換器、電池充電器、開關模式和諧振模式電源、直流斬波器、溫度和照明控制。 
                        
                    
      
                
                
            
                
                
                
                    
      
                        
                            快速本質整流器二極管
      低 RDS（接通）和 QG（柵極電荷）
      低本質柵極電阻
      工業(yè)標準封裝
      低封裝電感
      高功率密度 
                        
                    
      
                
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            
        
      

        
        
      

            
            

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      

            
            
                
                    
                        
      MOSFET 晶體管，IXYS
      
                    
                
                
                
            
                
                
                    
      
                        
                            IXYS 的一系列高級離散電源 MOSFET 設備 
                        
                    
      
                
                
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            

            

            
        

      
            
      
                屬性
                數(shù)值
            
      
            
                
      
                    通道類型
                    N
                
      
            
                
      
                    最大連續(xù)漏極電流
                    80 A
                
      
            
                
      
                    最大漏源電壓
                    500 V
                
      
            
                
      
                    封裝類型
                    TO-264
                
      
            
                
      
                    安裝類型
                    通孔
                
      
            
                
      
                    引腳數(shù)目
                    3
                
      
            
                
      
                    最大漏源電阻值
                    65 mΩ
                
      
            
                
      
                    通道模式
                    增強
                
      
            
                
      
                    最大柵閾值電壓
                    6.5V
                
      
            
                
      
                    最大功率耗散
                    1.25 kW
                
      
            
                
      
                    晶體管配置
                    單
                
      
            
                
      
                    最大柵源電壓
                    -30 V、+30 V
                
      
            
                
      
                    寬度
                    5.13mm
                
      
            
                
      
                    每片芯片元件數(shù)目
                    1
                
      
            
                
      
                    晶體管材料
                    Si
                
      
            
                
      
                    最高工作溫度
                    +150 °C
                
      
            
                
      
                    長度
                    19.96mm
                
      
            
                
      
                    典型柵極電荷@Vgs
                    200 nC @ 10 V
                
      
            
        
                  
      
          
      

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