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      產(chǎn)品分類
      分類:

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      Infineon ISC0806NLSATMA1 MOSFET

      訂 貨 號(hào):ISC0806NLSATMA1      品牌:英飛凌_Infineon

      庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:

      RoHS:符合

      市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00          品 牌 商:¥0.00

      -
      +

      公司基本資料信息

      聯(lián)系人:(女士)
      電 話:
      手 機(jī):
      地 址:
      通 訊:    
      主營(yíng)產(chǎn)品:
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      Infineon ISC0806NLSATMA1 MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      Infineon 的 OptiMOS PD 功率 MOSFET 100 V 專為 USB-PD 和適配器應(yīng)用而設(shè)計(jì)。它采用 SuperSO8 封裝,可提供快速上升和優(yōu)化的交付時(shí)間。用于功率輸送的 OptiMOS 低壓 MOSFET 使設(shè)計(jì)能夠減少部件,從而降低 BOM 成本。OptiMOS PD 采用緊湊輕便的封裝,提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品。

      邏輯級(jí)別可用性
      極佳的熱行為
      通過 100% 雪崩測(cè)試


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 97 A
      最大漏源電壓 100 V
      封裝類型 SO8
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 8
      最大漏源電阻值 0.0054 O , 0.0071 O
      最大柵閾值電壓 2.3V
      晶體管材料 Si
      每片芯片元件數(shù)目 1
      暫無(wú)
      正在載入評(píng)論詳細(xì)...
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