這款 N 通道 MV MOSFET 采用 ON Semiconductor 的先進(jìn) PowerTrench? 工藝生產(chǎn)，該工藝內(nèi)置了屏蔽柵極技術(shù)。此過(guò)程已經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可最大程度降低導(dǎo)通電阻，同時(shí)使用同類(lèi)最佳的軟主體二極管保持優(yōu)異的切換性能。

屏蔽柵極 MOSFET 技術(shù)
VGS = 10 V、ID = 37 A 時(shí)，最大 rDS（接通）= 4.2 mΩ
VGS = 4.5 V、ID = 29 A 時(shí)，最大 RDS（接通）= 11.1 mΩ
比其他 MOSFET 供應(yīng)商的 Qrr 低 50%
降低切換噪聲/EMI
邏輯電平驅(qū)動(dòng)功能
應(yīng)用
該產(chǎn)品可通用，適用于許多不同的應(yīng)用。