Vishay MOSFET

Vishay MOSFET 是 P 溝道 TO-263 封裝，是具有 60V 漏極源電壓和 20V 最大柵極源電壓的新時(shí)代產(chǎn)品。它在柵極源電壓為 10V 時(shí)具有 280mohm 的漏 - 源電阻。它的最大柵極源電壓為 20V。MOSFET 的最大功耗為 60W。 其驅(qū)動(dòng)電壓為 10V。此產(chǎn)品經(jīng)過優(yōu)化，可降低切換和傳導(dǎo)損耗。MOSFET 提供出色的效率以及長且高效的使用壽命，而不會(huì)影響性能或功能。

特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

? Advanced 工藝技術(shù)
?快速切換
?完全耐雪崩等級(jí)
?無鹵素和無鉛 (Pb) 組件
?工作溫度范圍 -55°C 至 175°C

應(yīng)用

?電池充電器
? 變頻器
? 電源
?開關(guān)模式電源 (SMPS)