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低漏-源通態(tài)電阻:RDS(接通)= 28 mΩ(典型值)(VGS = -10 V)
低泄漏電流:IDSS = -10 μA(最大值)(VDS = -40 V)
增強模式:Vth = -0.8 至 -2.0 V(VDS = -10 V,ID = -0.1 mA)
應用:
電機驅動器
電源管理開關
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | P |
最大連續(xù)漏極電流 | 15 A |
最大漏源電壓 | 40 V |
封裝類型 | DPAK |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 48 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 2V |
最小柵閾值電壓 | 0.8V |
最大功率耗散 | 29 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | ±20 V |
寬度 | 7.18mm |
最高工作溫度 | +150 °C |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
典型柵極電荷@Vgs | 26 nC @ 10 V |
長度 | 6.6mm |