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      產(chǎn)品分類
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      Vishay SI7489DP-T1-E3 IGBT

      訂 貨 號:SI7489DP-T1-E3      品牌:Vishay/威世

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:

      RoHS:符合

      市 場 價:¥0.00          品 牌 商:¥0.00

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      公司基本資料信息

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      Vishay SI7489DP-T1-E3 IGBT
      產(chǎn)品詳細信息

      Vishay MOSFET

      Vishay 表面安裝 P 溝道 SO-8 MOSFET 是一款新時代的產(chǎn)品,漏極源電壓為 100V ,最大柵極源電壓為 20V。它在柵極源電壓為 10V 時具有 41mms 的漏 - 源電阻。它的最大功耗為 83W ,連續(xù)漏極電流為 28A。它的最小和最大驅(qū)動電壓分別為 4.5V 和 10V。此產(chǎn)品經(jīng)過優(yōu)化,可降低切換和傳導(dǎo)損耗。MOSFET 提供出色的效率以及長且高效的使用壽命,而不會影響性能或功能。

      特點和優(yōu)勢

      ? 無鹵素
      ?新型低熱阻 PowerPAK 封裝,薄型 1.07mm
      ?工作溫度范圍 -55°C 至 150°C
      ? PWM 優(yōu)化
      ? TrenchFET 功率 MOSFET

      應(yīng)用

      ?半橋電動機驅(qū)動器
      ?高電壓非同步降壓轉(zhuǎn)換器
      ?負載開關(guān)

      認證

      ? ANSI/ESD S20.20 : 2014
      ? BS EN 61340-5-1 : 2007
      ? IEC 61249-2-21


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