1引言
　　低壓斷路器是低壓配電系統中應用最為普遍的電器產品之一。為了獲得較高的電弧電壓，斷路器滅弧室的柵片排列緊密。這樣，電弧在進入滅弧室時所受的阻力較大，在柵片入口處停滯的時間也較長。近年來對低壓斷路器的研究表明，電弧在柵片入口處多次出現在柵片內與柵片外，導致電弧電壓的反復跌落，這就是背后擊穿現象。它降低斷路器的開斷性能，使燃弧時間增長。1988年日本名古屋大學YoshiyukiIkuma等人首次用快速攝像機觀察到這種電弧背后擊穿現象。他們還采用微波穿透技術發現在低壓斷路器開斷過程中，電弧電壓發生突降前，觸頭間隙都出現溫度的上升，這是由于電弧的熱氣流經過滅弧室的后壁的反射進入相應區域的結果。游離氣體的進入和溫度的上升，使相應區域的臨界電場強度降低，這是造成背后擊穿的原因之一。法國的C.Fievet等人也發現，在電弧經過的區域溫度還較高，存在有剩余電流，會以熱擊穿的形式導致背后擊穿［1］。德國的ManfredLindmayer教授初步提出了一種基于熱擊穿的背后擊穿模型［2］。圖1為背后擊穿的典型波形。
　　通過對背后擊穿的分析，依據熱擊穿的原理，建立了以磁流體動力學為基礎的電弧 動態模型，對背后擊穿現象進行了機理模擬研究。采用先進的高速光學測試設備及多通道示波器，對低壓斷路器模型作了大量的實驗，發現電磁場對低壓斷路器中的背后擊穿現象有抑制作用。通過改變滅弧室前的跑弧區的結構，形成不同氣體流動狀況。實驗證明，合理的氣體流動狀況有助于電弧快速進入滅弧室，使電弧電壓迅速上升，對背后擊穿有抑制甚至消除作用，改善了限流器的開斷特性。據此提出了一種新型可消除背后擊穿現象的滅弧室結構。
　　2背后擊穿現象機理的研究分析     
　　近年來，人們通過現代測試技術發現了低壓斷路器開斷中電弧運動的不穩定性，在熄弧過程中電弧在滅弧室內外多次轉移，導致電弧電壓跌落，即背后擊穿現象。重燃后的電弧多次進入滅弧室，直到熄弧。大量實驗都發現低壓斷路器開斷過程中，在背后擊穿現象發生前，在柵片滅弧室外都出現溫度的上升。這是由于電弧的熱氣流經過滅弧室后壁的反射產生回流，相應區域的電導增大，臨界場強減小，易于造成背后擊穿的發生。
　　法國的C.Fievet等人發現［1］，當電弧進入滅弧室后，由于多個短弧的近極壓降，以及柵片外熱氣體電導較大，內外電流在斷路器滅弧室內外重新分配。通過用Rogowski線圈對電流的測量，發現當電弧已經離開起弧處幾個毫秒之后，電弧初始區域仍然有幾安培的電流。
　　由此，說明背后擊穿現象與滅弧室外氣體溫度、臨界電場強度及導電情況等有關。德國的ManfredLindmayer教授初步提出了一種基于熱擊穿的背后擊穿模型［2］。
　　我們在這個模型的基礎上進行深入研究，依據熱擊穿的原理，建立了以磁流體動力學為基礎的電弧動態模型。計算結果表明，根據這種電流重新分配原理建立的模型是與實際情況相符合的。尤其當滅弧室外的溫度較高，殘余電流較大時，容易產生背后擊穿。這是與C.Fievet的實驗結果相符合的。在圖2中，1.92ms時電弧已經進入滅弧柵片，電弧電壓迅速上升，電弧的等效電阻則由于近極壓降相對保持一個較高的值，而背后擊穿區域電阻則不斷下降。隨著背后擊穿區域的電阻逐漸減少，電流漸漸被此導電通道所分流，使這一區域的溫度迅速升高，電阻迅速減小，引起電弧電壓突降，產生背后擊穿。在2.16ms時電弧已經退出了滅弧柵片。這說明，用熱擊穿是導致背后擊穿產生的一個原因。
　　3、消除背后擊穿現象的措施      我們對可能消除背后擊穿現象多種因素進行了研究。     
　　3.1外加磁場的影響     
　　磁場可以加快電弧的運動速度，使它快速進入滅弧室，減少在滅弧柵片前的停滯時間。實驗中在滅弧室兩側夾兩塊導磁片，利用流過斷路器的電流產生外加吹弧磁場。外加2匝線圈，實驗預期電流為2000A時，電弧電壓跌落比較嚴重。當預期電流分別提高為3000A和4000A時，電弧電壓跌落次數減少，跌落幅度也降低。外加多匝線圈時，電弧電壓上升很快，電壓跌落現象仍然存在，但次數減少了。從實驗結果看，加大吹弧磁場后，電弧電壓跌落次數減少，但背后擊穿現象依然存在。
　　3.2氣流場的影響     
　　氣流場對斷路器背后擊穿現象有非常直接的影響。因為不良的氣體流通會使熱氣流回流，同時由于使電弧在滅弧柵片前停滯更長的時間，在滅弧室前部易于形成背后擊穿的熱區域。根據研究，在柵片的后面加上絕緣隔弧板，這樣使滅弧室內的熱氣流可以順利的排出，又不