美國俄克拉荷馬大學(xué)開發(fā)出帶間級聯(lián)砷化銦（InAs）襯底激光器，具有低閾值高電流運(yùn)行特征。研究人員聲稱，溫度300K閾值電流為247A/cm2的4.6μm波長器件是“有史以來同樣波長閾值電流最低的半導(dǎo)體中紅外激光器”。

　　銻化鎵（GaSb）襯底帶間級聯(lián)激光器在3-4μm波長范圍內(nèi)取得良好成效。InAs襯底激光器波長為11μm。這些激光器使用重?fù)诫s外覆層創(chuàng)建一個等離子體波導(dǎo)。然而這種激光器至今只驗(yàn)證了脈沖操作模式。研究人員稱，奧克拉荷馬大學(xué)第一次創(chuàng)造出連續(xù)波工作模式。

　　采用n+-InAs覆層等離子體波導(dǎo)的問題是高光吸收損失。一些小組試圖在光學(xué)限制成本內(nèi)插入厚（＞1μm）無摻雜的InAs單獨(dú)限制層來降低光學(xué)增益，增加電流閾值。為了嘗試獲得最好的兩種方法，奧克拉荷馬大學(xué)已經(jīng)在等離子體外覆層和獨(dú)立約束層之間插入一個中間層。中間覆層將光場推到器件中心部分，并減少外部等離子體覆層中的電場，避免吸收損耗。

　　采用分子束外延（MBE）在n型InAs襯底上制備半導(dǎo)體激光器異質(zhì)結(jié)構(gòu)。獨(dú)立的約束層和中間覆層對稱分布在基于多個級聯(lián)的有源區(qū)域附近。中間覆層包括25A/23AInAs/AlSb超晶格結(jié)構(gòu)。銻化鋁（AlSb）的3A厚度層是砷化鋁(AlAs)的界面用作應(yīng)力平衡。載流子在中間覆層和激光器的其他部分之間光滑傳輸，其他部分由過渡/連接橋組成，連接橋由58nm寬InAs/AlSb(As)量子阱構(gòu)成。

　　各種寬面積的臺面條紋和窄脊半導(dǎo)體激光器由裸露的晶面生產(chǎn)制備。1.5-2.0mm激光棒外側(cè)配置銅熱沉。與無中間覆層半導(dǎo)體激光器相比，有中間覆層大面積（BA）激光器脈沖操作模式時具有低于300K的閾值電流密度和較高的操作溫度。

　　研究人員報(bào)告，“一個15級晶片大面積激光器R140的閾值電流密度Jth=247A/cm2，在溫度300K波長為4.6μm，是中紅外半導(dǎo)體激光器同類波長的最低閾值報(bào)道。另一個10級晶片R144在溫度高達(dá)377K發(fā)射激光，波長近5.1μm。是此波長電泵浦帶間激光器的最高工作溫度報(bào)道。”

　　10–12級大面積半導(dǎo)體激光器的特征溫度T0，表示閾移漂移46-57K，可與先進(jìn)的GaSb基帶間級聯(lián)激光器在3–4μm波長區(qū)域的閾移漂移相提并論。用4μm電鍍金頂接觸的窄脊激光器測試了連續(xù)波性能。10-12級激光器輸出波長范圍為4.6-4.9μm。

　　10級激光器的工作電壓較低，實(shí)現(xiàn)了較高的溫度性能。10級激光器在溫度300K實(shí)現(xiàn)輸出功率每晶面1.6mW。輸入功率閾值小于0.52W。銻化鎵（GaSb）帶間級聯(lián)激光器在3-4μm較短波長范圍實(shí)現(xiàn)較低的輸入功率。研究人員說，他們從最初在InAs襯底集成電路激光器中嘗試嵌入中間覆層的結(jié)果受到鼓勵。

　　10μm寬脊形激光器連續(xù)運(yùn)行時熱阻范圍為6.5-11k-cm2/kW。此值高于已經(jīng)報(bào)道的一個有較厚超晶格覆層（無中間覆層）的激光器熱阻。這表明，InAs帶間級聯(lián)激光器還有提高熱耗散的潛力。

　　在脈沖工作模式窄脊激光器與大面積半導(dǎo)體激光器有相似的高溫極限，達(dá)到376K。然而溫度低于320K時，電流閾值增高45-71%。在3-4μm短波區(qū)間，帶間級聯(lián)窄脊激光閾值比大面積激光器高21%。

　　研究小組寫道，“由于不完善的鈍化，從側(cè)壁產(chǎn)生大量漏電流，這意味著通過減少表面泄漏可實(shí)現(xiàn)更好性能。”在溫度310K時窄脊激光器有大量跳模，表明材料不均勻性是個問題。