時鐘速度（clockspeed）是衡量一款電腦速度的重要標準，目前，個人計算機的時鐘速度已經達到ghz級別，然而這還不夠瘋狂，現(xiàn)已有科學家運用石墨烯把該速度提高到了讓人們吃驚的100ghz。

　　日前，莫斯科物理與技術研究院（mipt）的科學家已經找到利用石墨烯來提高隧道電流的方法。石墨烯本質上是一個二維結構，盡管只是一張由碳原子組成的薄片，但它卻擁有一些不尋常的電子特性。

　　傳統(tǒng)晶體管的工作方式是其所包含的電子，由能量源激發(fā)，從一端穿過能量勢壘躍遷到另一端產生電流。這是一種很好的工作方式，但目前人們不能使它們擁有更高的能源效率。

　　隧道晶體管相對于標準晶體管的運行功率更低。隧道晶體管所包含的電子因量子隧道效應穿過能量勢壘，穿過能量勢壘的過程就是電子“運輸”的過程。但目前隧道晶體管的問題是，電流抵達另一端時就會因變得太小而無法使用。

　　研究者們通過構建模型來研究由兩層石墨烯黏結在一起形成的雙層石墨烯的性能，發(fā)現(xiàn)了一些奇怪的能量帶和電子的能量范圍。雙層石墨烯的能量帶類似于“墨西哥帽”的形狀，而不是大多數(shù)半導體產生的拋物線形狀。

　　在帽子形狀邊緣的電子密度趨于無窮大，當一個低電壓施加到晶體管的柵極，大量的電子立即穿過隧道，結果導致能量勢壘的另一端電流發(fā)生瞬間改變。這種結果與標準晶體管所表現(xiàn)的相同，但雙層石墨烯晶體管需要的電壓更低。

　　研究人員dmitrysvintsov說道：“這意味著晶體管需要的能量交換更少，芯片需要的能量更低，因而產生的熱量也更少，不再需要強大的冷卻系統(tǒng)對多余的熱量進行冷卻，更不用擔心產生的多余熱量會破壞芯片，進而時速得到大幅度提高。”

　　雙層石墨烯晶體管的制備還可以略去復雜的“化學摻雜”，然而為了擴展半導體的能帶，這個步驟對傳統(tǒng)晶體管的生產而言是非常必要的。在不通過“化學摻雜”的情況下，對于雙層石墨烯晶體管，通過“電子摻雜”同樣可以實現(xiàn)半導體能帶的擴展，這是相同過程下運行晶體管的副效應。

　　研究者們解釋說“墨西哥帽”的邊緣發(fā)生著許多重要的效應，這些效應在之前是很難被測量的，但是通過使用更高質量的基底（承載雙層石墨烯的材料），他們第一次用實驗清楚地證實了范霍夫奇點。

　　雙層石墨烯在150mv電壓范圍內工作與硅晶體管在500mv電壓范圍內工作相比較，雙層石墨烯晶體管的重要優(yōu)勢是可以首先有效地大幅提高計算能力。

　　svintsov說：“功率低，電子部件的溫度也低，這意味著我們可以讓芯片運行在極高的頻率——不是ghz級別的提升，而是數(shù)十甚至上百倍。”