新聞事件：

• 飛兆、英飛凌擴(kuò)展功率MOSFET封裝兼容協(xié)議

事件影響：

• PowerTrench技術(shù)得到進(jìn)一步鞏固

• 客戶可采用多來(lái)源的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝來(lái)提供性能領(lǐng)先的產(chǎn)品

全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司進(jìn)一步擴(kuò)展封裝兼容合作伙伴關(guān)系，擴(kuò)展協(xié)議將包括5x6mm非對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)功率級(jí)雙MOSFET封裝。

飛兆半導(dǎo)體PowerTrench非對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)功率級(jí)雙MOSFET模塊是飛兆半導(dǎo)體全面廣泛的先進(jìn)MOSFET產(chǎn)品系列的組成部分，為電源設(shè)計(jì)人員提供了適用于關(guān)鍵任務(wù)的高效信息處理設(shè)計(jì)的全面解決方案。

這一兼容協(xié)議是兩家公司在2010年達(dá)成的協(xié)議的擴(kuò)展，旨在為客戶保證供貨穩(wěn)定性，同時(shí)滿足對(duì)同級(jí)最佳的DC/DC轉(zhuǎn)換效率和熱性能的需求。這項(xiàng)協(xié)議利用了兩家企業(yè)的非對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)功率級(jí)雙MOSFET專(zhuān)業(yè)技術(shù)，以處理30A以上應(yīng)用并增加功率密度。

飛兆半導(dǎo)體消費(fèi)、通信和工業(yè)低壓產(chǎn)品副總裁兼總經(jīng)理Joe Montalbo表示：“我們非常高興與英飛凌科技公司合作，進(jìn)一步鞏固PowerTrench技術(shù)。這一合作配合使用標(biāo)準(zhǔn)化的封裝引腳，將幫助提升該產(chǎn)品線的價(jià)值并提高其對(duì)客戶的吸引力。”

英飛凌科技低壓功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品高級(jí)主管Richard Kuncic稱(chēng)：“飛兆半導(dǎo)體和英飛凌實(shí)現(xiàn)了封裝引腳的標(biāo)準(zhǔn)化，為計(jì)算、電信及服務(wù)器市場(chǎng)的客戶提供了滿足高效設(shè)計(jì)需求的穩(wěn)定供應(yīng)鏈。通過(guò)封裝統(tǒng)一，客戶可以采用多來(lái)源的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝來(lái)提供性能領(lǐng)先的產(chǎn)品?！?/p>