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      產(chǎn)品分類

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      類型分類:
      科普知識
      數(shù)據(jù)分類:
      MOSFET

      導通電阻比競爭對手低20%的40V N溝道MOSFET

      發(fā)布日期:2022-10-09 點擊率:116

      【導讀】飛兆半導體的40V PowerTrench MOSFET,在動力轉(zhuǎn)向應(yīng)用中的功率控制更強、效率更高,該器件具有最低的導通電阻和較低的柵極電荷,可降低功耗,因此非常適合電動助力轉(zhuǎn)向、懸架控制和傳動系管理等應(yīng)用。


      汽車動力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)的設(shè)計工程師需要能夠提供更高效率和更佳功率控制的解決方案。 飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)的40V N溝道PowerTrench MOSFET可幫助設(shè)計人員應(yīng)對這些挑戰(zhàn)。

      飛兆半導體的40V PowerTrench <a title=MOSFET" src="http://data.51spec.com:88/51spec/202009/27/175533611.jpg" height="400" width="400"/>
      圖題:飛兆半導體的40V PowerTrench MOSFET

      FDB9403利用飛兆半導體的屏蔽柵極技術(shù),改進了電阻并降低了電容。 該器件的RDS(ON) 比其最直接競爭對手低20%,并具有較低的Qg值,可降低功耗并最終提高總體效率。 FDB9403 MOSFET作為用于電流控制的基本開關(guān),可有效控制電能而不將其浪費,因此非常適合電動助力轉(zhuǎn)向、懸架控制和傳動系管理等應(yīng)用。

      特色及優(yōu)勢:

      RDS(ON)典型值 = 1m?(VGS = 10V,ID = 80A時),可降低功耗以實現(xiàn) 更高的效率
      Qg(tot)典型值= 164nC(VGS = 10V,ID = 80A時),可降低功耗以實現(xiàn)更高的效率
      UIS能力
      符合RoHS標準且通過AEC Q101認證

      封裝和定價信息(1000片起訂,價格單位:美元)
      按請求提供樣品。交貨期:收到訂單后8-12周內(nèi)
      采用D2PAK TO-263AB封裝,F(xiàn)DB9403的定價為2.48美元

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