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      存儲器

      嵌入式存儲器基礎知識:EEPROM、FRAM、eMMC 和 SD 卡之對比

      發布日期:2022-10-09 點擊率:84

      對于所有基于微控制器的嵌入式系統而言,存儲器都是其中的主要元件。例如,開發人員需要足夠的 RAM 以存儲所有易失性變量、創建緩沖區以及管理各種應用堆棧。RAM 對于嵌入式系統相當重要,同樣,開發人員也需要一定空間用于存儲應用代碼、非易失性數據和配置信息。

      然而,問題在于非易失性存儲器技術不斷擴展,選擇眾多,使選擇適合應用的存儲器頗具挑戰性。

      本文對各種存儲器技術進行了介紹,并以 ON Semiconductor、Adesto Technologies、Renesas、ISSI、Cypress Semiconductor、Advantech、GigaDevice Semiconductor 和 Silicon Motion 等供應商推出的產品為例,幫助開發人員了解各種存儲器類型的特性。此外,本文還探討了各種類型存儲器的最佳應用,以便開發人員有效使用。

      嵌入式系統中的 EEPROM 和 FRAM

      EEPROM 往往是開發人員最先、最常考慮用于嵌入式系統的存儲器件。在嵌入式應用中,這類非易失性存儲器通常用于存儲系統配置參數。例如,連接至 CAN 總線網絡的設備可能會將 CAN ID 存儲于 EEPROM。

      EEPROM 的以下特性使其成為嵌入式系統開發人員的理想之選:

      • 小封裝尺寸

      • 相對實惠的價格

      • 100 kbps 至 1000 kbps 的典型比特率范圍

      • 標準化電氣接口

      • 通常支持 I2C 和 SPI 接口

      目前,在 Digi-Key 網站上快速搜索 EEPROM 可以發現,共有 9 家 EEPROM 供應商提供的 5,800 多款 EEPROM。例如,ON Semiconductor 的 CAT24C32WI-GT3 是一款 32 Kb (4 KB) EEPROM 器件,采用 8 引腳 SOIC 封裝,連接 I2C 總線時速度可達 1 MHz(圖 1)。

      ON Semico<em></em>nductor 的 CAT24C32WI-GT3 是一款 1 Kb EEPROM 圖片圖 1:ON Semiconductor 的 CAT24C32WI-GT3 是一款 1 Kb 的 EEPROM,可通過 I2C 或 SPI 端口連接微控制器以存儲配置和應用數據。(圖片來源:ON Semiconductor)

      值得注意的是,某些微控制器中也包含 EEPROM。例如,Renesas 的 R7FS128783A01CFM#AA1 32 位微控制器,具有 4 KB 板載 EEPROM 可供開發人員使用。

      因此,配置需求不能超過 4 KB,否則,開發人員就需要使用外部存儲器件,或使用微控制器的閃存來模擬 EEPROM 以擴展容量。

      盡管 EEPROM 深受青睞,卻也存在一些潛在缺陷:

      • 擦/寫操作壽命通常為 1,000,000 次

      • 寫周期約為 500 ns

      • 寫入單個數據單元需要多條指令

      • 數據保存期為 10 年以上(近期的產品可達 100 年以上)

      • 易受輻射和高工作溫度影響

      EEPROM 適合的應用眾多,但對于汽車、醫療或航天系統等可靠性要求較高的應用,開發人員則希望使用 FRAM 等更可靠的存儲器解決方案。

      FRAM 是“鐵電隨機存取存儲器”的縮寫,相較于 EEPROM 存儲器,頗具優勢:

      • 速度更快(寫周期小于 50 ns)

      • 寫操作壽命更長(高達 1 萬億次,EEPROM 僅為 100 萬次)

      • 功率較低(工作電壓只需 1.5 V)

      • 輻射耐受性更強

      FRAM 的存儲容量與 EEPROM 相當。例如,Cypress Semiconductor 的 FRAM 系列容量范圍從 4 Kb 至 4 Mb。其中,FM25L16B-GTR 容量為 16 Kb(圖 2)。該器件采用 8 引腳 SOIC 封裝,工作頻率可達 20 MHz。

      Cypress 的 FRAM 系列圖片圖 2:Cypress 的 FRAM 系列存儲器容量從 4 Kb 至 4 Mb 不等,可通過 SPI 連接微控制器以存儲配置和應用數據。FM25L16B-GTR(如圖所示)的工作頻率可達 20 MHz。(圖片來源:Cypress Semiconductor)

      針對高端產品,Cypress Semiconductor 推出 CY15B104Q-LHXIT,容量為 4 Mb,支持的接口速度高達 40 MHz(圖 3)。這款 FRAM 存儲器具有以下特性:

      • 151 年數據保存期

      • 100 萬億次讀/寫

      • 直接替代串行閃存和 EEPROM

      正如您所猜想,FRAM 的價格比 EEPROM 昂貴,因此選擇適合應用的存儲器時,務必仔細權衡器件的各種工作環境因素。

      Cypress 的 CY15B104Q-LHXIT 是一款 4 Mb 器件圖片圖 3:CY15B104Q-LHXIT 是一款 4 Mb 器件,工作頻率可達 40 MHz。該器件所屬的 Cypress FRAM 系列產品,容量范圍從 4 Kb 至 4 Mb。(圖片來源:Cypress Semiconductor)

      嵌入式系統中的閃存、eMMC 和 SD 卡

      嵌入式系統中的閃存具有多種不同用途。首先,外部閃存可用于擴展內部閃存,從而增加應用代碼的可用存儲器空間。常用解決方法是:使用 GigaDevice Semiconductor 的 GD25Q80CTIGR 等 SPI 閃存模塊(圖 4)。如果微控制器支持 SPI 接口,則可通過該接口使用 GD25Q80CTIGR 將內部存儲器擴展 8 Mb。

      GigaDevice Semico<em></em>nductor Limited 的 GD25Q80CTIR 閃存圖片圖 4:使用 GigaDevice Semiconductor Limited 的 GD25Q80CTIR 閃存,可通過 SPI 端口將內部閃存空間擴展 8 Mb。(圖片來源:GigaDevice Semiconductor Limited)

      其次,外部閃存可用于存儲配置信息或應用數據,而非使用 EEPROM 或 FRAM。為了降低 BOM 成本或擴展內部存儲器以存儲應用數據,可以改用外部閃存芯片。微控制器外設和存儲器映射可以配置為加入該外部閃存,以便開發人員能夠更輕松地進行訪問,而無需專門對所需的驅動程序進行自定義調用,來連接 EEPROM 或 FRAM。

      Adesto Technologies 的 AT25SF161 是一款適用于該用途的外部閃存器件范例(圖 5)。該器件使用隊列式 SPI (QSPI) 接口。QSPI 是對常規 SPI 協議的擴展,提高了系統數據吞吐量。對于單一事務需要存儲或檢索大量數據的應用,開發人員可留意這類器件。

      QSPI 免除了 CPU 對 QSPI 外設的干預,并將接口由標準的 4 引腳(MOSI、MISO、CLK 和 CS)變更為 6 引腳(CLK、CS、IO0、IO1、IO2、IO3)。因此,其中 4 個引腳可用于輸入和輸出,而傳統 SPI 只用 2 個引腳。

      Adesto Technologies 的 AT25SF161 外部閃存器件圖片圖 5:Adesto Technologies 的 AT25SF161 外部閃存器件可用于擴展內部閃存,具有 QSPI 接口,可實現更快的數據存儲和檢索。(圖片來源:Adesto Technologies)

      最后,閃存可用于存儲應用數據和有效載荷信息。例如,GPS 系統往往不會試圖將所有 GPS 地圖存儲于本地處理器,而是使用 SD 卡或 eMMC 器件等外部存儲器件。這些存儲介質可通過 SPI 或專用 SDIO 接口連接微控制器,從而有效連接外部存儲器件。

      例如,ISSI 推出的 IS21ES04G-JCLI eMMC 可直接連接微控制器的 SDIO 接口,為其擴展 32 Gb 的閃存(圖 6)。

      ISSI 的 eMMC 閃存模塊存儲器容量達 32 Gb 圖片圖 6:ISSI 的 eMMC 閃存模塊存儲器容量達 32 Gb,可通過 SPI 或 SDIO 連接主機。(圖片來源:ISSI)

      就電氣接口而言,SD 卡與 eMMC 器件別無二致。換言之,二者雖采用不同的封裝,但都具有通用引腳可用于連接微控制器。不過,這兩種存儲器類型卻截然不同。相較于 SD 卡,eMMC 通常具有以下差異:

      • 更堅固耐用,不易出現物理損壞

      • 交互更快

      • 價格更昂貴

      • 須焊接至電路板,不可拆卸

      如果用戶無需拆卸存儲器,那么使用 eMMC 可以提供更可靠的解決方案,但仍取決于最終應用。無論哪種情況下,開發人員都需要仔細選擇存儲器,因為每款存儲器的特性各不相同。

      例如,車載子系統可能要求存儲器經過可靠性驗證,標準往往高于標準閃存器件。在這種情況下,開發人員需要選擇通過汽車級鑒定的存儲器,例如 Silicon Motion 的 SM668GE4-AC 4 GB eMMC 模塊。

      選購 SD 卡時,開發人員必須慎重考慮,因為與 eMMC 一樣,每款 SD 卡的特性各不相同。開發人員需仔細檢查存儲卡的速度等級和工作溫度。例如,多數 SD 卡的額定溫度范圍為 0 至 70 ℃,適用于消費類電子產品。

      此外,每款存儲卡都具有相關速度等級,用于描述預期最大接口速度。例如,在需要存儲圖像的應用中,使用 Class 2 存儲卡則速度較慢,遠不如專為高清視頻設計的 Class 10 存儲卡,例如 Advantech 推出的 SQF-MSDM1-4G-21C SQFlash 4 GB microSD 卡。

      Advantech 的 SQF-MSDM1-4G-21C SQFlash microSD 卡圖片圖 7:Advantech 的 SQF-MSDM1-4G-21C SQFlash microSD 卡存儲器容量達 4 GB,速度等級為高端 Class 10。(圖片來源:Advantech Corp)

      存儲器選擇技巧與訣竅

      為嵌入式產品選擇合適的存儲器類型和接口頗具挑戰性。選擇適合應用的存儲器時,開發人員可以參考以下“技巧與訣竅”:

      • 明確存儲器工作條件,例如:

        • 預期擦/寫次數

        • 溫度、振動和輻射等環境條件和因素

        • 數據加載要求

      • 記錄應用中存儲器正常工作的最小比特率、所需比特率和最大比特率

      • 選擇最接近記錄中所需比特率的存儲器接口類型

      • 對于汽車或航天系統等惡劣環境條件,須選擇通過汽車級鑒定或輻射耐受性較強的存儲器

      • 使用分線板將所選存儲器件連接至微控制器開發套件以測試其性能

      上述技巧有助于確保開發人員找到適合嵌入式應用的存儲器。

      總結

      如今,可供開發人員選擇的非易失性存儲器件種類繁多,可用于存儲各種數據,從應用代碼到配置信息,不一而足。如上所述,開發人員需仔細評估應用需求,慎重選擇存儲器類型和接口,以期取得這些需求與成本之間的平衡。

       

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