在鍺磁敏晶體管的發(fā)射極一側(cè)用噴砂方法損傷一層晶格，設(shè)置載流子復(fù)合速率很大的高復(fù)合區(qū)r，而在硅磁敏晶體管中未設(shè)置高復(fù)合區(qū)。鍺磁敏晶體管具有板條狀結(jié)構(gòu)，集電區(qū)和發(fā)射區(qū)分別設(shè)置在板條的兩面，而基極設(shè)置在另一側(cè)面上。硅磁敏晶體管具有平面結(jié)構(gòu)，基極均設(shè)置在硅片表面。磁敏晶體管的一個主要特點是基區(qū)寬度W大于載流擴(kuò)散長度，因此它的共發(fā)射極電流放大系數(shù)小于1，無電流增益能力。另外，發(fā)射極-基區(qū)-基極是NPP 型或P NN 型長二極管，即NPP 型或PNN 型磁敏二極管。因此，磁敏晶體管是在磁敏二極管的基礎(chǔ)上設(shè)計的長基區(qū)晶體管。

按照磁敏晶體管的基區(qū)中載流子輸運(yùn)情況，基區(qū)可分成兩部分，即從發(fā)射結(jié)注入的載流子輸運(yùn)到集電極的輸運(yùn)基區(qū)部分和注入載流子被復(fù)合的復(fù)合基區(qū)部分。磁敏晶體管加正向磁場時，由于載流子受洛倫茲力作用向復(fù)合區(qū)r一側(cè)偏轉(zhuǎn)，使集電極收集載流子的數(shù)量減少，同時在復(fù)合基區(qū)由于復(fù)合區(qū)r的調(diào)制作用，載流子的有效壽命減小。這會引起兩種結(jié)果:1、在發(fā)射極-基極偏壓恒定的條件下，發(fā)射結(jié)注入量減少;2、載流子擴(kuò)散長度縮小，相當(dāng)于基區(qū)寬度增加。因此，磁敏晶體管的集電極電流進(jìn)一步減小。在磁敏晶體管上加反向磁場B-時，載流子背離復(fù)合區(qū)向它的反方向偏轉(zhuǎn)，使集電極收集載流子的數(shù)量增加，同時在復(fù)合基區(qū)由于復(fù)合區(qū)的調(diào)制作用，載流子有效壽命增加，進(jìn)一步促使集電極電流增大。因此，磁敏晶體管雖然無電流增益能力，但它的集電極電流隨外加磁場增加或減少，具有正向或負(fù)向磁靈敏度。在磁感應(yīng)強(qiáng)度為0.1特的磁場中，在規(guī)定基極電流下，磁敏晶體管集電極電流的相對變化量即為集電極電流相對磁靈敏度，單位為%/0.1特。鍺磁敏晶體管的集電極電流相對磁靈敏度為20%/0.1特左右，而硅磁敏晶體管的集電極電流相對磁靈敏度為5%～15%/0.1特。

磁敏三極管由鍺材料或硅材料制成。它是在高阻半導(dǎo)體材料上制成P-N結(jié)構(gòu)，在發(fā)射區(qū)的一側(cè)用噴砂等方法破壞一層晶格，形成載流子高復(fù)合區(qū)。元件采用平板結(jié)構(gòu)，發(fā)射區(qū)和集電區(qū)設(shè)置在它的上、下表面。選用歐姆檔的R*100(或R*1K)檔，先用紅表筆接一個管腳，黑表筆接另一個管腳，可測出兩個電阻值，然后再用紅表筆接另一個管腳，重復(fù)上述步驟，又測得一組電阻值，這樣測3次，其中有一組兩個阻值都很小的，對應(yīng)測得這組值的紅表筆接的為基極，且管子是PNP型的;反之，若用黑表筆接一個管腳，重復(fù)上述做法，若測得兩個阻值都小，對應(yīng)黑表筆為基極，且管子是NPN型的。因為三極管發(fā)射極和集電極正確連接時β大(表針擺動幅度大)，反接時β就小得多。因此，先假設(shè)一個集電極，用歐姆檔連接，(對NPN型管，發(fā)射極接黑表筆，集電極接紅表筆)。測量時，用手捏住基極和假設(shè)的集電極，兩極不能接觸，若指針擺動幅度大，而把兩極對調(diào)后指針擺動小，則說明假設(shè)是正確的，從而確定集電極和發(fā)射極。

1、磁敏晶體管集電極電流隨磁場按指數(shù)律變化，在磁感應(yīng)強(qiáng)度0.1～0.2特范圍內(nèi)，集電極電流隨磁場的變化近似線性關(guān)系。2、鍺磁敏晶體管集電極電流的溫度系數(shù)很大，在環(huán)境溫度50℃以上時，集電極電流急劇增加。硅磁敏晶體管集電極電流的溫度特性較好，具有負(fù)的溫度系數(shù)，在-50～100℃范圍內(nèi)。3、鍺磁敏晶體管用合金燒結(jié)和噴砂等工藝制成。硅磁敏晶體管用硅平面工藝制成，容易集成化，可以采用差分式集成溫度補(bǔ)償電路。這種差分電路的集電極電流相對磁靈敏度為單個硅磁敏晶體管正向和負(fù)向磁靈敏度之和。4、磁敏晶體管集電極電流相對磁靈敏度比霍爾器件高1～2個數(shù)量級。但是，磁敏晶體管的輸出電壓線性度不如霍爾器件。和普通晶體管的伏安特性曲線類似。