三極管，全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件。其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào)，也用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。三極管是半導(dǎo)體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導(dǎo)體基片上制作兩個(gè)相距很近的PN結(jié)，兩個(gè)PN結(jié)把整塊半導(dǎo)體分成三部分，中間部分是基區(qū)，兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)，排列方式有PNP和NPN兩種。

可以看到，雖然都叫三極管，其實(shí)在英文里面的說(shuō)法是千差萬(wàn)別的，三極管這個(gè)詞匯其實(shí)也是中文特有的一個(gè)象形意義上的的詞匯。“Triode”(電子三極管)這個(gè)是英漢詞典里面 “三極管” 的唯一英文翻譯，與電子三極管初次出現(xiàn)有關(guān)，是真正意義上的三極管這個(gè)詞最初所指的物品。其余的在中文里稱作三極管的器件，實(shí)際翻譯時(shí)不可以翻譯成Triode。

電子三極管 Triode (俗稱電子管的一種)

雙極型晶體管 BJT (Bipolar Junction Transistor)

J型場(chǎng)效應(yīng)管 Junction gate FET(Field Effect Transistor)

金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 MOS FET ( metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文全稱

V型槽場(chǎng)效應(yīng)管 VMOS (Vertical metal Oxide Semiconductor )

注：這三者看上去都是場(chǎng)效應(yīng)管，其實(shí)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 、V型槽溝道場(chǎng)效應(yīng)管 是 單極(Unipolar)結(jié)構(gòu)的，是和 雙極(Bipolar)是對(duì)應(yīng)的，所以也可以統(tǒng)稱為單極晶體管(Unipolar Junction Transistor)。其中J型場(chǎng)效應(yīng)管是非絕緣型場(chǎng)效應(yīng)管，MOS FET 和VMOS都是絕緣型的場(chǎng)效應(yīng)管。VMOS是在 MOS的基礎(chǔ)上改進(jìn)的一種大電流，高放大倍數(shù)(跨道)新型功率晶體管，區(qū)別就是使用了V型槽，使MOS管的放大系數(shù)和工作電流大幅提升，但是同時(shí)也大幅增加了MOS的輸入電容，是MOS管的一種大功率改進(jìn)型產(chǎn)品，但是結(jié)構(gòu)上已經(jīng)與傳統(tǒng)的MOS發(fā)生了巨大的差異。VMOS只有增強(qiáng)型的而沒(méi)有MOS所特有的耗盡型的MOS管。

1947年12月23日，美國(guó)新澤西州墨累山的貝爾實(shí)驗(yàn)室里，3位科學(xué)家——巴丁博士、布萊頓博士和肖克萊博士在緊張而又有條不紊地做著實(shí)驗(yàn)。他們?cè)趯?dǎo)體電路中正在進(jìn)行用半導(dǎo)體晶體把聲音信號(hào)放大的實(shí)驗(yàn)。3位科學(xué)家驚奇地發(fā)現(xiàn)，在他們發(fā)明的器件中通過(guò)的一部分微量電流，竟然可以控制另一部分流過(guò)的大得多的電流，因而產(chǎn)生了放大效應(yīng)。這個(gè)器件，就是在科技史上具有劃時(shí)代意義的成果——晶體管。因它是在圣誕節(jié)前夕發(fā)明的，而且對(duì)人們未來(lái)的生活發(fā)生如此巨大的影響，所以被稱為“獻(xiàn)給世界的圣誕節(jié)禮物”。這3位科學(xué)家因此共同榮獲了1956年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。[2] 新研究發(fā)現(xiàn)，在晶體管電子流出端的襯底外，沉積一層對(duì)應(yīng)材料，能形成一個(gè)半導(dǎo)體致冷P-N結(jié)構(gòu)，因?yàn)镹材料的電子能級(jí)低，P材料的電子能級(jí)高，當(dāng)電子流過(guò)時(shí)，需要從襯底吸入熱量，這就為晶體管核心散熱提供一個(gè)很好的途徑。因?yàn)閹ё叩臒崃繒?huì)與電流的大小成正比例，業(yè)內(nèi)也稱形象地把這個(gè)稱為“電子血液”散熱技術(shù)。根據(jù)添加新材料的極性位置不同，新的致冷三極管分別叫做N-PNP或NPN-P。晶體管帶來(lái)并促進(jìn)了“固態(tài)革命”，進(jìn)而推動(dòng)了全球范圍內(nèi)的半導(dǎo)體電子工業(yè)。作為主要部件，它及時(shí)、普遍地首先在通訊工具方面得到應(yīng)用，并產(chǎn)生了巨大的經(jīng)濟(jì)效益。由于晶體管徹底改變了電子線路的結(jié)構(gòu)，集成電路以及大規(guī)模集成電路應(yīng)運(yùn)而生，這樣制造像高速電子計(jì)算機(jī)之類的高精密裝置就變成了現(xiàn)實(shí)。

1947年12月23日，美國(guó)新澤西州墨累山的貝爾實(shí)驗(yàn)室里，3位科學(xué)家——巴丁博士、布萊頓博士和肖克萊博士在緊張而又有條不紊地做著實(shí)驗(yàn)。他們?cè)趯?dǎo)體電路中正在進(jìn)行用半導(dǎo)體晶體把聲音信號(hào)放大的實(shí)驗(yàn)。3位科學(xué)家驚奇地發(fā)現(xiàn)，在他們發(fā)明的器件中通過(guò)的一部分微量電流，竟然可以控制另一部分流過(guò)的大得多的電流，因而產(chǎn)生了放大效應(yīng)。這個(gè)器件，就是在科技史上具有劃時(shí)代意義的成果——晶體管。因它是在圣誕節(jié)前夕發(fā)明的，而且對(duì)人們未來(lái)的生活發(fā)生如此巨大的影響，所以被稱為“獻(xiàn)給世界的圣誕節(jié)禮物”。這3位科學(xué)家因此共同榮獲了1956年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。[2] 新研究發(fā)現(xiàn)，在晶體管電子流出端的襯底外，沉積一層對(duì)應(yīng)材料，能形成一個(gè)半導(dǎo)體致冷P-N結(jié)構(gòu)，因?yàn)镹材料的電子能級(jí)低，P材料的電子能級(jí)高，當(dāng)電子流過(guò)時(shí)，需要從襯底吸入熱量，這就為晶體管核心散熱提供一個(gè)很好的途徑。因?yàn)閹ё叩臒崃繒?huì)與電流的大小成正比例，業(yè)內(nèi)也稱形象地把這個(gè)稱為“電子血液”散熱技術(shù)。根據(jù)添加新材料的極性位置不同，新的致冷三極管分別叫做N-PNP或NPN-P。晶體管帶來(lái)并促進(jìn)了“固態(tài)革命”，進(jìn)而推動(dòng)了全球范圍內(nèi)的半導(dǎo)體電子工業(yè)。作為主要部件，它及時(shí)、普遍地首先在通訊工具方面得到應(yīng)用，并產(chǎn)生了巨大的經(jīng)濟(jì)效益。由于晶體管徹底改變了電子線路的結(jié)構(gòu)，集成電路以及大規(guī)模集成電路應(yīng)運(yùn)而生，這樣制造像高速電子計(jì)算機(jī)之類的高精密裝置就變成了現(xiàn)實(shí)。