半導體二極管的參數包括最大整流電流IF、反向擊穿電壓VBR、最大反向工作電壓VRM、反向電流IR、最高工作頻率fmax和結電容Cj等。幾個主要的參數介紹如下： 
    (1) 最大整流電流IF——二極管長期連續工作時，允許通過二極管的最大整流電流的平均值。 
    (2) 反向擊穿電壓VBR和最大反向工作電壓VRM——二極管反向電流急劇增加時對應的反向電壓值稱為反向擊穿電壓VBR。為安全計，在實際工作時，最大反向工作電壓VRM一般只按反向擊穿電壓VBR的一半計算。 
    (3) 反向電流IR——在室溫下，在規定的反向電壓下，一般是最大反向工作電壓下的反向電流值。硅二極管的反向電流一般在納安(nA)級；鍺二極管在微安(mA)級。 
    (4) 正向壓降VD——在規定的正向電流下，二極管的正向電壓降。小電流硅二極管的正向壓降在中等電流水平下，約0.6～0.8 V；鍺二極管約0.2～0.3 V。 
    (5)動態電阻rd——反映了二極管正向特性曲線斜率的倒數。顯然， rd與工作電流的大小有關，即 rd =△VD /△ID。