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      產(chǎn)品分類

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      類型分類:
      科普知識(shí)
      數(shù)據(jù)分類:
      MOSFET

      電力MOSFET的主要參數(shù)有那些?

      發(fā)布日期:2022-10-09 點(diǎn)擊率:97

           電力MOSFET中文名字是電力場效應(yīng)管,是一種結(jié)型電力場效應(yīng)晶體管,具有開關(guān)快,頻率高,電流容量小,耐壓低等等優(yōu)點(diǎn),那么它的主要參數(shù)有哪些呢,小編給大家講解一下:

         (1)漏源擊穿電壓UDss
          UDss常為結(jié)溫在25~150℃之間時(shí)漏源極的擊穿電壓。該參數(shù)限制了MOSFET的工作電壓,常用的MOSFET的UDSS通常在1000V以下,尤其以500V及以下器件的各項(xiàng)性能。需要注意的是常用的MOSFET的漏源擊穿電壓具有正釀系數(shù),因此在溫度低于測試條件時(shí),UDSS值會(huì)低;于產(chǎn)品手冊數(shù)據(jù)。
          (2)漏極連續(xù)電流額定值Id和漏極脈沖電流峰值IDM
          這是標(biāo)稱電力MOSFET電流定額的參數(shù),一般情況下:IDM是ID的2-4倍。工作溫度對器件的漏極電流影響很大,產(chǎn)品的生產(chǎn)廠商通常也會(huì)給出不同殼溫下,允許的漏極連續(xù)電流變化情況。在實(shí)際器件參數(shù)計(jì)算時(shí),必須考慮其損耗及散熱情況得出殼溫,由此核算它的電流定額。通常在売溫為80~90℃,器件可用的連續(xù)工作電流只有Tc=25℃時(shí) 額定值Id的60%~70%。
          (3)漏源通態(tài)電阻RDS(ON)
          該參數(shù)是在柵源間施加一定電壓 (10~15V )時(shí),漏源間的導(dǎo)通電阻。漏源通態(tài)電阻RDS(on)直接影響器件的通態(tài)壓降及損耗,通常額定電壓低、電流大的器件RDS(on)較小。此外,RDS(on)還與驅(qū)動(dòng)電壓及結(jié)溫有關(guān)。增大驅(qū)動(dòng)電壓可以減小RDS(on)。RDS (on)具有正的溫度系數(shù),隨著結(jié)溫的升高而增加, 這一特性使MOSFET并聯(lián)運(yùn)行較為容易。
          (4)柵源電壓UGS
          由于柵源之間的SIO2絕緣層很薄,當(dāng)|UGS|>20V時(shí)將導(dǎo)致絕緣擊穿。因此在焊接,驅(qū)動(dòng)等方面必須注意。
          (5)跨導(dǎo)Gfs
          在規(guī)定的工作點(diǎn)下,MOSFET轉(zhuǎn)移特性曲線的斜率稱為該器件的跨導(dǎo)。即


          公式.jpg

          (6)極間電容
          MOSFET的3個(gè)電極之間分別存在極間電容CGS,CGD和CDS。一般生產(chǎn)廠商提供的是漏源極短路時(shí)的輸入電容,Ciss共源極輸出電容Coss和反向轉(zhuǎn)移電容Crss。它們之間的關(guān)系是:


          關(guān)系式.jpg

          盡管電力MOSFET是用柵源間電壓驅(qū)動(dòng),阻抗很高,單由于存在輸入電容Ciss,開關(guān)過程中驅(qū)動(dòng)電路要輸入電容沖放電。這樣,用作高頻開關(guān)時(shí),驅(qū)動(dòng)電路必須具有很低的內(nèi)阻抗及一定的驅(qū)動(dòng)電流能力。

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