真空鍍膜過(guò)程是在真空環(huán)境中氣態(tài)原子或分子像基板輸運(yùn)沉積的過(guò)程，它通常包含沉積物的生成和沉積后的凝聚生長(zhǎng)這兩步。

    物理氣相沉積（PVD）法，是指沉積物主要由固體材料汽化形成，如蒸發(fā)源中材料的加熱蒸發(fā)，離子對(duì)靶材的轟擊濺射，或者雖然利用蒸發(fā)源或?yàn)R射源，在其前往基板的途中還通過(guò)氣體放電使部分原子得以離化，這就構(gòu)成了所謂的蒸發(fā)鍍、濺射鍍和離子鍍。

    化學(xué)氣相沉積（CVD）法，是指沉積物主要通過(guò)氣體化學(xué)反應(yīng)形成。屬于真空鍍膜范疇的有低壓CVD、等離子體CVD和光CVD等。反應(yīng)氣體的分解、激發(fā)和化學(xué)反應(yīng)，是借助于高溫、放電等離子體和光輻照實(shí)現(xiàn)的。

    現(xiàn)在有些稱PVD法的已不單純是物理過(guò)程，有些也引入反應(yīng)氣體，使得沉積物在輸運(yùn)過(guò)程中伴隨著有化學(xué)反應(yīng)。

    沉積物在基板上的凝聚生長(zhǎng)，不是簡(jiǎn)單的隨機(jī)堆積，不然就只能形成非晶態(tài)膜了，事實(shí)上薄膜結(jié)構(gòu)有非晶態(tài)的，也有多晶和單晶的。這是因?yàn)槌练e的原子會(huì)遷移，而原子遷移的強(qiáng)弱和狀態(tài)取決于原子之間以及同基板之間的相互作用，還有基板溫度、氣體壓力、離子轟擊和其它一些因素的影響。特別是當(dāng)成膜過(guò)程中有離子參與時(shí)，原子遷移和相互作用將大大增強(qiáng)，從而引起膜的組織結(jié)構(gòu)、相成分、附著力、內(nèi)應(yīng)力、成膜溫度和其它性能的變化。

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