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      產(chǎn)品分類

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      Onsemi 安森美 Field Stop Trench IGBT With Soft Fast Recovery Diode and VCESAT, VTH Binning 650 V, 160 A AFGY160T65SPD-B4-D

      文件類型:     文件大小:2.53M    品牌:意法半導(dǎo)體_ST

      更新日期:2022-07-25    瀏覽次數(shù):128    下載次數(shù):0
      Onsemi 安森美 Field Stop Trench IGBT With Soft Fast Recovery Diode and VCESAT, VTH Binning 650 V, 160 A AFGY160T65SPD-B4-D
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